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DC特性
CMOS兼容
参数
I
LI
I
点亮
I
LO
描述
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
; A9 = 11.0 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH ，
字节模式
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH ，
文字模式
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃
=
V
IH
CE ＃ ， RESET ＃ = V
CC
±0.2
V
RESET ＃ = V
SS
±
0.2 V
V
IH
= V
CC
±
0.2 V;
V
IL
= V
SS
±
0.2 V
–0.5
0.8× V
CC
8.5
5兆赫
1兆赫
5兆赫
1兆赫
5
1
5
1
20
1
1
1
民
典型值
最大
±1.0
35
±1.0
10
3
mA
10
3
30
5
5
5
0.2× V
CC
V
CC
+ 0.3
9.5
mA
A
A
A
V
V
V
单位
A
A
A
I
CC1
V
CC
读操作工作电流
（注1,2 ）
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
V
IL
V
IH
V
HH
V
CC
主动写电流
（注2，3， 5）
V
CC
待机电流（注2 ）
V
CC
复位电流（注2 ）
自动休眠模式
（注2,3）
输入低电压
输入高电压
电压WP ＃ / ACC部门
保护/撤消和程序
促进
电压自动选择和
临时机构撤消
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
（注4 ）
V
ID
V
OL
V
OH
V
LKO
V
CC
= 2.0 V
I
OL
= 100
A,
V
CC
= V
CC分钟
I
OH
= –100
A,
V
CC
= V
CC分钟
9.0
11.0
0.1
V
V
CC
–0.1
1.2
1.5
V
注意事项：
1.我
CC
目前上市的是通常小于1毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IL
。典型的V
CC
为2.0 V.
2.最大余
CC
特定网络连接的阳离子与V测试
CC
= V
CC
马克斯。
3. I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式程序正在进行中。
4.自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+ 50纳秒。
5.未经100％测试。
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Am29SL160C
