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晶体管
2SB0766 ， 2SB0766A
（ 2SB766 ， 2SB766A ）
PNP硅外延平面型
对于低频输出放大
补充2SD0874 （ 2SD874 ）和2SD0874A （ 2SD874A ）
单位：mm
I
特点
G
G
2.6±0.1
0.4max.
I
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SB0766
2SB0766A
2SB0766
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
*
(Ta=25C)
评级
–30
–60
–25
–50
–5
–1.5
–1
1
150
–55 ~ +150
单位
V
45°
1.0
–0.2
+0.1
0.4±0.08
0.5±0.08
1.5±0.1
3.0±0.15
3
2
1
4.0
–0.20
0.4±0.04
发射极电压2SB0766A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
V
V
A
A
W
C
C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ：SC- 62
迷你功率型封装
记号
标记符号：
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
A
(2SB0766)
B
(2SB0766A)
I
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家基地
电压
集电极到发射极
电压
2SB0766
2SB0766A
2SB0766
2SB0766A
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -20V ，我
E
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -500mA
*2
V
CE
= -5V ，我
C
= –1A
*2
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
*2
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
*2
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
–30
–60
–25
–50
–5
85
50
– 0.2
– 0.85
200
20
*2
民
典型值
最大
– 0.1
单位
A
V
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*1
h
FE1
等级分类
340
– 0.4
–1.2
兆赫
30
pF
脉冲测量
秩
h
FE1
记号
符号
2SB0766
2SB0766A
Q
85 ~ 170
AQ
BQ
R
120 ~ 240
AR
BR
S
170 ~ 340
AS
BS
注）括号中显示零件编号
传统的零件编号。
2.5±0.1
+0.25
大集电极耗散功率P
C
.
小功率型封装，设备的小型化使
并通过带包装和maga-自动插入
杂志包装。
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
V
V
V
V
1
