晶体管
2SB0970
(2SB970)
PNP硅外延平面型
用于低电压输出放大
单位：mm
I
特点
G
G
2.8
–0.3
0.65±0.15
+0.2
1.5
–0.05
+0.25
0.65±0.15
1.9±0.2
0.95
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒自动插入
包装。
0.95
2.9
–0.05
1
+0.2
3
1.45
2
1.1
–0.1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
评级
–15
–10
–7
–1
– 0.5
200
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
mW
C
C
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
JEDEC ： TO- 236
EIAJ ： SC- 59
迷你型包装
标记符号：
1R
I
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -10V ，我
E
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -1mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -2V ，我
C
= –0.5A
*2
V
CE
= -2V ，我
C
= –1A
*2
I
C
= -0.4A ，我
B
= -8mA
I
C
= -0.4A ，我
B
= -8mA
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
–15
–10
–7
130
60
– 0.16
– 0.8
130
22
*2
民
典型值
0-0.1
为0.1 0.3
0.4±0.2
0.8
最大
–100
0.16
–0.06
+0.2
I
绝对最大额定值
+0.1
(Ta=25C)
0.4
–0.05
+0.1
单位
nA
V
V
V
350
– 0.3
–1.2
V
V
兆赫
pF
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
秩
h
FE1
R
130 ~ 220
1RR
S
180 ~ 350
1RS
注）括号中的部分数字显示传统
产品型号。
标记符号
1
