控制信号的
名字
引脚数
LCC
PGA
TYPE
活跃
描述
RD
WR
CS
AEN
61
60
62
66
B7
C7
A7
A5
TI
TI
TI
TI
AL
AL
AL
AH
阅读。主机使用此与CS一起阅读
内部BCRTM寄存器。
写。主机使用此与CS一起写的
内部BCRTM寄存器。
片选。这种访问时选择BCRTM
该BCRTM的内部寄存器。
地址使能。主机CPU使用AEN来指示所述
BCRTM该BCRTM的地址线可以断言;
这是提供的，以避免地址总线预防信号
崩溃。如果不使用，它必须连接到高电平。
BC / RT选择。这两种选择的总线控之间
控制器或远程终端模式。在BC / RT模式
在控制寄存器选择位将覆盖此输入，如果
锁销不高。该引脚在内部
拉高。
锁。设置时，此引脚可以防止内部变化
双方的RT地址和BC / RT模式选择功能。
该引脚在内部拉高。
外部覆盖。在多冗余应用使用此
系统蒸发散。在收到的BCRTM中止所有当前activ-
性。 EXTOVR应该连接到COMSTR的输出
当用于相邻BCRTM 。该引脚在内部
拉高。
主复位。这将重置所有的内部状态机，
编码器，解码器和寄存器。最小脉冲
宽度为一个成功的主复位为500ns 。
内存芯片选择输出。这是再生
MEMCSI输入伪期间外部RAM
双端口RAM模式。该BCRTM还用它来选择
记忆中的外部存储器访问。
内存芯片选择中。用于在所述伪双端口
RAM的模式而已， MEMCSI从主机接收到的和
通过向MEMCSO传播。
BCRTSEL
11
L1
TUI
--
LOCK
12
K2
TUI
AH
EXTOVR
24
L7
TUI
AL
MRST
10
J2
TI
AL
MEMCSO
54
B10
TO
AL
MEMCSI
59
A8
TUI
AL
RRD
53
A11
TO
AL
RAM读取。在伪双端口RAM模式下，主机
使用该信号与MEMCSO一起读
从通过BCRTM外部RAM 。它也是
信号的BCRTM使用从存储器中读取。这是
断言在收到DMAG的。当BCRTM
进行多次读取，该信号是脉冲。
RWR
52
C10
TO
AL
RAM写入。在伪双端口RAM模式中，
CPU和BCRTM使用此写入外部RAM 。这
信号被确认在收到DMAG的。对于多
的PLE写入时，该信号为脉冲。
BCRTM-8
