11.0 DC ê
LECTRICAL
C
极特
（ VDD = 5.0V
±
10％ ; -55°C < TC < + 125 ° C）
符号
V
IL
RAD和
非-Rad公司
V
IH
非-Rad公司
V
IH
RAD- HARD
I
IN
非-Rad公司
参数
低电平输入电压
TTL输入
高电平输入电压
TTL输入
高电平输入电压
TTL输入
7
6
条件
最低
最大
0.8
单位
V
2.0
V
2.2
V
输入漏电流
TTL输入
输入上拉电阻
输入上拉电阻
输入漏电流
TTL
7
输入上拉电阻
输入上拉电阻
低电平输出电压
TTL输出
高电平输出电压
TTL输出
三态输出漏电流
TTL输出
输出短路电流
输入电容
3
3
3
1, 4
1, 2
V
IN
= V
DD
或V
SS
V
IN
= V
DD
V
IN
= V
SS
V
IN
= V
DD
或V
SS
V
IN
= V
DD
V
IN
= V
SS
I
OL
= 3.2毫安
I
OH
= -400A
V
O
= V
DD
或V
SS
V
DD
= 5.5V, V
O
= V
DD
V
DD
= 5.5V, V
O
= 0V
= 1MHz的@ 0V
= 1MHz的@ 0V
= 1MHz的@ 0V
= 12MHz时，C
L
= 50pF的
见注5 ，TC = 125
o
C
TC = 25
o
C, -55
o
C
-1
-1
-550
-10
-10
-900
-1
-1
-80
10
10
-150
0.4
A
A
A
A
A
A
V
V
I
IN
RAD- HARD
V
OL 1
V
OH1
I
OZ
I
OS
C
IN
C
OUT
C
IO
I
DD
Q
国际直拨电话
2.4
-10
-110
10
15
20
50
1
35
10
110
A
mA
mA
pF
pF
pF
mA
mA
A
输出电容
Bidirect I / O容量
平均工作电流
静态电流
8
注意事项：
1.提供一个设计极限，但不能保证或测试。
2.不超过一个输出可以在一个时间为一秒的最大持续时间要短。
3.测量仅在初步认证，并经过工艺或设计变更可能影响输入/输出电容。
4.包括电流输入上拉。可发生在输出开关1安培数量级的瞬时浪涌电流。
电源应该有足够的尺寸和去耦处理大电流浪涌。
5.所有的输入，内部上拉电阻应悬空。所有其它输入应接高电平或低电平。
6.功能测试是按照MIL-STD- 883具有以下输入测试条件下进行的
V
IH
= V
IH
（分钟）+ 20％ -0 ％ ; V
IL
= V
IL
（最大值） + 0 ％ -50 ％ ，如本文中所规定的，为TTL兼容的输入。
设备可以使用上述指定的范围内的输入电压进行测试，但被保证到V
IH
（MIN）和V
IL
（最大值）。
7. 1.0E6总剂量;此水平之上， CMOS I / O的要求。
8.保证对前和辐照后的限制。
BCRTM-41
