WTK4228
表面贴装双N沟道
增强型MOSFET
P B
铅（Pb ） - 免费
漏电流
6.8安培
漏源电压
30电压
D1
S1
G1
S2
G2
1
2
3
8
7
6
D1
D2
D2
产品特点：
*超级高密度电池设计低R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
<26米@V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
<40米@V
GS
= 4.5V
*简单的驱动要求
*双N MOSFET封装
* SO- 8封装
最大额定值
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
等级
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(1)
(T
A
=25C)
(T
A
=70C)
漏电流脉冲
(2)
功耗
(1)
(T
A
=25C)
最大最大结点到环境
(1)
工作结存储
温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
θJA
T
J
， TSTG
价值
30
团结
V
V
A
A
W
C / W
C
4
5
1
SO-8
+
- 20
6.8
5.5
40
2
62.5
-55到150
器件标识
WTK4228=4228SS
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
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04-Dec-08
