M32C / 85群（ M32C / 85 ， M32C / 85T ）
5.电气特性（ M32C / 85 ）
VCC
1
-vcc
2
=3.3V
内存扩展模式和微处理器模式
（访问外部存储器空间时）
[读时序]
（ 1φ + 1φ总线周期）
BCLK
t
D（ BCLK -CS ）
18ns.max
(1)
t
H（ BCLK -CS ）
0ns.min
CSI
TCYC
t
H（ RD- CS ）
0ns.min
t
D（ BCLK -AD ）
ADI
BHE
18ns.max
(1)
t
H（ BCLK -AD ）
0ns.min
t
D（ BCLK -RD ）
18ns.max
RD
t
H（ RD -AD ）
0ns.min
t
ac1(RD-DB)
(2)
t
ac1(AD-DB)
(2)
t
H（ BCLK -RD ）
-3ns.min
DB
高阻
t
SU（ DB- BCLK ）
30ns.min
(1)
t
H（ RD -DB ）
0ns.min
注意事项：
1.值保证只有当微型计算机是独立使用的。
最多为35ns保证在t
D（ BCLK -AD ）
+t
SU（ DB- BCLK ）
.
2.随运转频率。
t
ac1(RD-DB)
= （的tcyc / 2 ×m个-35） ns.max （如果外部总线周期是aφ + Bφ时，m = （ BX 2） + 1）的
t
ac1(AD-DB)
= （的tcyc ×n个-35） ns.max （如果外部总线周期是aφ + Bφ中，n =一+ b）的
[写时序]
（ 1φ + 1φ总线周期）
BCLK
t
D（ BCLK -CS ）
18ns.max
t
H（ BCLK -CS ）
0ns.min
CSI
TCYC
t
H（ WR- CS ）
(3)
t
H（ BCLK -AD ）
0ns.min
t
D（ BCLK -AD ）
ADI
BHE
18ns.max
t
D（ BCLK - WR ）
t
W（ WR ）
(3)
18ns.max
t
H（ WR -AD ）
(3)
t
H（ BCLK - WR ）
0ns.min
WR ， WRL ，
WRH
t
D（ DB- WR ）
(3)
DBI
t
H（ WR -DB ）
(3)
注意事项：
3.不同而不同，操作频率。
t
D（ DB- WR ）
= （ TCYC X M-20 ） ns.min
（如果外部总线周期aφ + Bφ ， M = B）
t
H（ WR -DB ）
=(tcyc/2-20)ns.min
t
H（ WR -AD ）
=(tcyc/2-10)ns.min
t
H（ WR- CS ）
=(tcyc/2-10)ns.min
t
W（ WR ）
= （ TCYC / 2× N-15 ） ns.min
（如果外部总线周期aφ + Bφ ， N = （ BX2 ） -1 ）
测量条件
V
CC
1
=V
CC
2
= 3.0 3.6V
输入高电平和低电平电压： V
IH
=1.5V, V
IL
=0.5V
输出高，低电压： V
OH
=1.5V, V
OL
=1.5V
TCYC =
10
9
f
（BCLK ）
图5.7 V
CC1
=V
CC2
= 3.3V时序图（ 1 ）
牧师1.21 2005年7月1日
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