M32C / 85群（ M32C / 85 ， M32C / 85T ）
5.电气特性（ M32C / 85 ）
VCC
1
-vcc
2
=5V
内存扩展模式和微处理器模式
（访问外部存储器空间时）
[读时序]
（ 1φ + 1φ总线周期）
BCLK
t
D（ BCLK -CS ）
18ns.max
(1)
TCYC
t
H（ BCLK -CS ）
-3ns.min
CSI
t
H（ RD- CS ）
0ns.min
t
D（ BCLK -AD ）
ADI
BHE
18ns.max
(1)
t
H（ BCLK -AD ）
-3ns.min
t
D（ BCLK -RD ）
18ns.max
RD
t
H（ RD -AD ）
0ns.min
t
ac1(RD-DB)
(2)
t
ac1(AD-DB)
(2)
t
H（ BCLK -RD ）
-5ns.min
DB
高阻
t
SU（ DB- BCLK ）
26ns.min
(1)
t
H（ RD -DB ）
0ns.min
注意事项：
1.值保证只有当微型计算机是独立使用的。
最多为35ns保证在t
D（ BCLK -AD ）
+t
SU（ DB- BCLK ）
.
2.随工作频率：
t
ac1(RD-DB)
= （ TCYC / 2× M- 35 ） ns.max （如果外部总线周期aφ + Bφ ， M = （ BX 2 ） +1 ）
t
ac1(AD-DB)
= （的tcyc ×n个-35） ns.max （如果外部总线周期是aφ + Bφ中，n =一+ b）的
[写时序]
（ 1φ + 1φ总线周期）
BCLK
t
D（ BCLK -CS ）
18ns.max
t
H（ BCLK -CS ）
-3ns.min
CSI
TCYC
t
H（ WR- CS ）
(3)
t
H（ BCLK -AD ）
-3ns.min
t
D（ BCLK -AD ）
18ns.max
ADI
BHE
t
D（ BCLK - WR ）
WR ， WRL ，
WRH
18ns.max
t
W（ WR ）
(3)
t
H（ WR -AD ）
(3)
t
H（ BCLK - WR ）
-5ns.min
t
D（ DB- WR ）
(3)
DBI
t
H（ WR -DB ）
(3)
注意事项：
3.随工作频率：
t
D（ DB- WR ）
= （ TCYC X M-20 ） ns.min
（如果外部总线周期aφ + Bφ ， M = B）
t
H（ WR -DB ）
=(tcyc/2-10)ns.min
t
H（ WR -AD ）
=(tcyc/2-10)ns.min
t
H（ WR- CS ）
=(tcyc/2-10)ns.min
t
W（ WR ）
= （ TCYC / 2× N-15 ） ns.min
（如果外部总线周期aφ + Bφ ， N = （ BX2 ） -1 ）
测定条件：
V
CC1
=V
CC2
= 4.2 5.5V
输入高电平和低电平电压： V
IH
=2.5V, V
IL
=0.8V
输出高，低电压： V
OH
=2.0V, V
OL
=0.8V
TCYC =
10
9
f
（BCLK ）
图5.3 V
CC1
=V
CC2
= 5V时序图（1）
牧师1.21 2005年7月1日
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