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LTC694-3.3/LTC695-3.3
APPLICATI
S I FOR ATIO
V
BATT
2.7M
0.1F
LTC694-3.3
LTC695-3.3
10
GND
694/5-3.3 F04
图4. 10Ω / 0.1μF的组合消除感应
过冲和防止意外复位时电池
更换。在2.7M再换V
BATT
引脚接地
当电池被取出，消除虚假复位
表1.输入和输出状态在电池备份模式
信号
V
CC
V
OUT
V
BATT
BATT ON
PFI
PFO
RESET
RESET
WDI
WDO
CE IN
CE OUT
OSC IN
OSC SEL
状态
C2监视V
CC
主动切换
V
OUT
连接到V
BATT
通过内部的PMOS开关
电源电流为1μA最大。
逻辑高电平。开路输出电压等于V
OUT
电源故障输入被忽略
逻辑低
逻辑低
逻辑高电平。开路输出电压等于V
OUT
看门狗输入被忽略。
逻辑高电平。开路输出电压等于V
OUT
芯片使能输入被忽略。
逻辑高电平。开路输出电压等于V
OUT
OSC IN被忽略
OSC SEL被忽略
低线逻辑低
V
CC
CE IN
CE OUT
V
OUT
= V
BATT
图5.时序图CE IN和OUT CE
10
U
表1示出了各针的过程中的电池后备的状态。
当不使用电池切换部，连接
V
BATT
到GND和V
OUT
到V
CC
.
存储器保护
该LTC695-3.3包括内存保护电路
它通过确保在存储器中的数据的完整性
防止写操作时， V
CC
是无效的水平。
两个额外的引脚， CE IN和OUT CE ，控制芯片
启用或写入CMOS RAM的投入。当V
CC
为3.3V ，
CE OUT如下行政长官进行的典型传播延迟
为30ns 。当V
CC
低于复位电压阈值或
V
BATT
， CE输出被强制为高，独立于行政长官进行。 CE
OUT为一个替代信号来驱动的CE ，CS或收件
电池输入备份CMOS RAM 。 CE OUT也可以
用于驱动所述存储或写入的EEPROM的输入，
EAROM或NOVRAM实现类似的保护。身材
图5示出的CE中和CE输出的时序图。
在CE可以从微处理器的地址导出
解码输出。图6示出一个典型的非易失性
CMOS RAM中的应用程序。
存储器保护也可与LTC694-实现
3.3通过使用复位，如图7 。
电源失效报警
该LTC694-3.3 / LTC695-3.3产生电源故障
输出（ PFO）的故障的早期警告
微处理器的电源。这是通过
V2
V1
V1 =复位阈值电压
V2 =复位阈值电压+
复位门限迟滞
V
OUT
= V
BATT
694/5-3.3 F05
W
U
UO
