Si9145
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件
除非另有说明
a
参数
符号
2.7 V
v
V
DD
v
7 V, V
DD
= V
S
GND = P
GND
范围
B后缀
2585 ℃下
民
b
典型值
最大
b
单位
误差放大器（C
OSC
= GND ， OSC禁用）
输入偏置电流
开环电压增益
失调电压
单位增益带宽
c
输出电流
电源抑制
c
I
FB
A
VOL
V
OS
BW
I
EA
P
SRR
源（V
FB
= 1 V ， NI = V
REF
)
水槽（V
FB
= 2 V ， NI = V
REF
)
2.7 V＆ LT ; V
DD
< 7.0 V
0.4
V
NI
= V
REF
V
NI
= V
REF
, V
FB
= 1.0 V
1.0
47
15
55
0
10
2.0
0.8
60
1.0
15
1.0
mA
dB
mV
兆赫
mA
dB
UVLO
SET
电压监控器
欠压锁定
滞后
UVLO输入电流
V
UVLOHL
V
UVLOLH
V
HYS
I
UVLO
UVLO
SET
前高后低
UVLO
SET
从低到高
V
UVLOLH
V
UVLOHL
V
UVLO
= 0至V
DD
100
0.85
1.0
1.2
200
100
1.15
V
mV
nA
产量
输出高电压
输出低电压
峰值输出电流
峰值输出电流
V
OH
V
OL
I
来源
I
SINK
V
DD
= 2.7 V，I
OUT
=
10
mA
V
DD
= 2.7 V，I
OUT
= 10毫安
V
DD
= 2.7 V, V
OUT
= 0 V
V
DD
= 2.7 V, V
OUT
= 2.7 V
150
2.55
2.60
0.06
180
200
0.15
130
V
mA
逻辑
使能延迟到输出
启用逻辑低
启用逻辑高
使能输入电流
模式选择逻辑低
模式选择逻辑高
模式选择输入电流
td
EN
V
ENL
V
ENH
I
EN
V
模型
V
MODEH
I
模式
模式选择= 0 V
DD
0.8 V
DD
1.0
1.0
ENABLE = 0至V
DD
0.8 V
DD
1.0
1.0
0.2 V
DD
ENABLE上升到输出
1.5
0.2 V
DD
ns
V
mA
V
mA
过温检测
TRIP POINT
输出低电压
输出高电压
T
旅
V
OTSL
V
OTSH
V
DD
= 2.7 V，I
OUT
= 1
mA
V
DD
= 2.7 V，I
OUT
=
1
mA
2.55
150
0.06
2.6
0.15
_C
V
供应
电源电流
普通模式
电源电流
待机模式
V
DD
= 2.7 V，F
OSC
= 1 MHz时，R
OSC
= 6.98千瓦
I
DD
V
DD
= 7 V，F
OSC
= 1 MHz时，R
OSC
= 6.98千瓦
ENABLE =低
1.1
1.6
250
1.5
2.3
330
mA
mA
笔记
A.
杂散
< 5 pF的基于C
OSC
。在启动后，V
DD
of
w
3 V.
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
文档编号： 70021
S- 40710 -REV 。 K， 19 -APR- 04
www.vishay.com
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