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操作模式
M48T59 ， M48T59Y ， M48T59V
2
操作模式
As
图4第7页
示，静态存储器阵列和石英控制的时钟
该M48T59 / Y / V振荡器集成在一个硅芯片上。
这两个电路被互连在上部8的存储单元，以提供用户
在地址1FF8h - 1FFFh的字节访问的单字节宽时钟信息。该
时钟单元包含世纪，年，月，日，星期，时，分，秒24
小时BCD格式（除了世纪） 。更正为28 ， 29 （闰年 - 有效期至
2100 ） ， 30 ，和31天的月均自动进行。字节1FF8h是时钟控制
注册。这个字节控制用户对时钟信息的访问并且还存储在时钟
校准设置。
这八个字节时钟都没有实际的时钟计数器本身;他们是记忆
地点由BiPORT 读/写存储器单元。该M48T59 / Y / V包括
时钟控制电路，更新时钟字节，每秒一次的最新信息。
该信息可以由用户以相同的方式和在其他位置被访问
静态存储器阵列。
该M48T59 / Y / V也有自己的电源失效检测电路。控制电路不断
监控单5V / 3.3V电源是否超出公差情况。当V
CC
是选自
宽容，电路的写保护SRAM ，提供了高度的数据安全性
不可预测的系统操作当中低V带来的
CC
。由于V
CC
低于
备用电池切换电压（V
SO
）时，控制电路将电池连接而
保持数据和时钟的操作，直到有效恢复供电。
表2中。
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
操作模式
V
CC
4.75至5.5 V
or
4.5 5.5 V
or
3.0至3.6 V
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
V
SO
到V
PFD
（分钟）
(1)(1)
≤
V
SO(1)
注意：
bs
O
2.1
et
ol
1.见
表13 24页
了解详细信息。
X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
ro
P
e
uc
d
-
s)
t(
b
O
so
G
X
X
V
IL
X
X
P
te
le
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
c
du
ro
s)
t(
DQ7-DQ0
高Z
D
IN
D
OUT
高Z
高Z
高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
备用电池
模式
V
IH
读取模式
该M48T59 / Y / V是在读模式时W（写使能）高， E（芯片
使能）是低的。由13地址输入指定的唯一的地址定义哪一个
在8,192个字节的数据是要被访问。有效的数据将在数据I / O引脚
地址访问时间内（T
AVQV
）后的最后一个地址输入信号是稳定的，从而提供
该E和G存取时间也满意。如果E和G的访问时间得不到满足，
有效的数据将是可用的后片的后启用访问时间（t
ELQV
）或输出
允许访问时间（t
GLQV
).
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