SUP57N20-33
Vishay Siliconix公司
N沟道200 -V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
200
r
DS （ ON）
(Ω)
0.033在V
GS
= 10 V
I
D
(A)
57
特点
TrenchFET
功率MOSFET
175 ° C的结温
可用的
RoHS指令*
应用
隔离式DC / DC转换器
- 原边开关
柔顺
TO-220AB
D
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
S
订货信息：
SUP57N20-33
SUP57N20-33 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
漏电流脉冲
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
a
最大功率耗散
a
符号
V
DS
V
GS
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
I
D
I
DM
I
AS
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
c
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
200
± 20
57
33
140
35
61
300
b
3.75
- 55 175
单位
V
A
mJ
W
°C
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
结到环境（印刷电路板安装）
c
结至外壳（漏）
注意事项：
一。占空比
≤
1 %.
B 。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免。
文档编号： 72100
S- 71662 -REV 。 B， 06 - 8 - 07
www.vishay.com
1
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.5
单位
° C / W
