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SUM55P06-19L
Vishay Siliconix公司
热额定值
60
1000
限于由R
DS （ ON）
*
10 s
I
D
- 漏电流（ A）
40
I
D
- 漏电流（ A）
100
50
30
10
100 s
1毫秒
10毫秒
100毫秒，直流
20
1
10
T
C
= 25 °C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
* V
GS
>最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
T
C
- 外壳温度（ ° C）
最大漏极电流
与外壳温度
安全工作区
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5 C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方波脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?73059 。
文档编号： 73059
S- 80272 -REV 。 C， 11 -FEB -08
www.vishay.com
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