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新产品
SUP53P06-20
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
0.8
60
50
0.5
I
D
- 漏电流（ A）
V
GS （ TH）
方差
(V)
I
D
= 250
A
I
D
= 1毫安
40
0.2
30
20
- 0.1
10
- 0.4
- 50
0
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 温度（℃ ）
阈值电压
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
马克斯。漏电流与外壳温度
1000
有限
by
R
DS （ ON）
*
100
I
D
- 漏电流（ A）
10
s
功率（W）的
100
s
10
1毫秒
10毫秒
100毫秒，直流
1
T
C
= 25 °C
单脉冲
0.1
0.1
BVDSS
有限
T
J
- 温度（℃ ）
功率降额，结至外壳
1
占空比= 0.5
归
有效的瞬态
热阻抗
1
10
100
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
*
V
GS
>最低
V
GS
at
哪
R
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
0.2
0.1
0.1
0.02
单脉冲
0.05
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
方
WAVE
脉冲持续时间（ S）
10
-1
1
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记，并
可靠性数据，请参见
http://www.vishay.com/ppg?68633 。
文档编号： 68633
S- 80897 -REV 。 A， 21 -APR- 08
www.vishay.com
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