晶体管
2SC3757
NPN硅外延平面型
单位：mm
对于高速开关
I
特点
高速开关
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒自动插入
包装。
允许与2SA1738对使用
1
0.40
+0.10
–0.05
3
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
2
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
10°
1.1
+0.2
–0.1
(0.65)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
40
40
5
300
100
200
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
0-0.1
I
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
1.1
+0.3
–0.1
JEDEC ： TO- 236
EIAJ ： SC- 59
迷你型包装
标记符号： 2Y
I
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
*
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
打开-O FF时间
贮存时间
注） *：等级分类
秩
h
FE
标记符号
Q
60至120
2YQ
R
90至200
2YR
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
t
on
t
关闭
t
英镑
Refere到测量电路
条件
V
CB
=
15 V，I
E
=
0
V
EB
=
4 V，I
C
=
0
V
CE
=
1 V，I
C
=
10毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
1毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
1毫安
V
CB
=
10 V，I
E
= 10
毫安，女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
450
2
17
17
10
6
60
0.17
民
典型值
最大
0.1
0.1
200
0.25
1.0
V
V
兆赫
pF
ns
ns
ns
单位
A
A
0.4
±0.2
5°
1
