
恩智浦半导体
PDTC124X系列
NPN电阻配备晶体管; R 1 = 22千欧,R2 = 47千欧
10
3
h
FE
006aaa174
10
3
006aaa175
(1)
(2)
(3)
V
CESAT
(毫伏)
10
2
10
2
(2) (1)
10
(3)
1
10
1
1
10
I
C
(MA )
10
2
10
1
10
I
C
(MA )
10
2
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
I
C
/I
B
= 20
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
40 °C
图1 。
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值
10
006aaa176
图2 。
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
10
006aaa177
V
我(上)
(V)
(1)
V
我(关闭)
(V)
(1)
1
(2)
(3)
1
(2)
(3)
10
1
10
1
1
10
I
C
(MA )
10
2
10
1
10
2
10
1
1
I
C
(MA )
10
V
CE
= 0.3 V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
=
40 °C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
= 100
°C
图3 。
导通状态的输入电压的一个函数
集电极电流;典型值
图4 。
断态输入电压的函数
集电极电流;典型值
PDTC124X_SER_7
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师07 - 2009年11月16日
6 12