HAT2184WP
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G0536-0500
Rev.5.00
2006年11月27日
特点
低导通电阻
低驱动电流
高密度安装
概要
瑞萨封装代码： PWSN0008DA -A
（包名称： WPAK ）
5 6 7 8
5 6 7 8
D D D D
4 3 2 1
4
G
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
≤
150°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）注1
I
DR
I
DR （脉冲）注1
I
APNote3
E
ARNote3
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
评级
150
±30
14
28
14
28
14
14.7
25
5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
Rev.5.00 2006年11月27日第1页6
