位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第4页 > EVAL-ADF7242DB1Z > EVAL-ADF7242DB1Z PDF资料 > EVAL-ADF7242DB1Z PDF资料2第39页
ADF7242
所要求的数据速率，以保证最佳的调制
质量。频率合成器带宽被用于优化
推荐的调制方案，数据率和频
昆西偏差在表22中给出。如果用户需要
从这些中列出的不同的调制方案或数据速率
表22 ，它是推荐的，以实现最佳的器件性能，
选择为所需的数据速率的频率偏差是
给出了一个调制指数接近那些推荐表22 。
参考晶体振荡器
片上晶体振荡器产生的参考频率
用于频率合成器和系统定时。该振荡器
运行在26兆赫的频率。晶体振荡器
振幅控制，以确保快速的启动时间和稳定
根据不同的工作条件下运行。晶体和
相关外部元件应谨慎选择
由于晶体振荡器的精度可有显著
关于该通信系统的性能的影响。距
从精度和漂移说明书中，重要的是要
考虑到晶体的标称负载电容。
晶体具有高负载电容是不太敏感
频率牵引由于外部电容器和所述的公差
印刷电路板的寄生电容。当选择一个
水晶，这些优势应该对高达到平衡
的电流消耗，较长的启动时间，并降低修整
范围较大的负载电容产生的。
总的负载电容必须等于指定的
晶体的负载电容，并且包括外部
并联负载电容，的寄生电容
XOSC26P和XOSC26N销，以及所述寄生
在印刷电路板轨迹的电容。
该ADF7242具有一个集成的晶体振荡器调谐电容器
便于系统的生产补偿
误差和温度漂移。调谐电容器所配置
受控与注册xto26_trim _cal ，现场xto26_trim （ 0x371 ） 。
由调谐电容器提供的调谐范围取决于
特定晶体的负载电容。总调
范围通常为25ppm的
RF信道频率编程
该合成器的频率进行编程时将
频率控制字， ch_freq [23：0 ]，它延伸过
注册ch_freq0 ，注册ch_freq1和注册ch_freq2 。
频率控制字， ch_freq [23：0 ] ，它包含一个二进制
所需信道的绝对频率的表示
10 kHz分。
写一个新的信道频率值的频率控制
字ch_freq [ 23 ： 0 ]将在下一次的频率后生效
合成器校准阶段。频率合成器是
在转入PHY_RDY期间校准默认
从空闲状态，以及在所述发送，接收和CCA状态。
指的是RF频率合成器校准，发射器，
和接收器的更多详细信息。为了方便快捷
信道频率的变化，新的频率控制字可以
被写在RX状态的数据包已经收到之前。
下一RC_RX RC_TX命令启动所需要的
频率合成器校准和建立循环。同样，一个
新频率控制字可以被写入后的数据包有
在德克萨斯州和下RC_RX被传送时或
RC_TX命令将启动频率合成器
校准和建立循环。
第0版|第39页108
