LM3424
主MOSFET /调光MOSFET
的LM3424需要一个外部NFET （Q1 ）为主要
功率MOSFET的开关稳压器。 Q1是推荐使用
编有一个额定电压大于所述至少高出15％
最大晶体管的电压，以确保在安全运行
开关节点的振铃。在实践中，所有的开关调节
lators有一些振铃开关节点由于二极管
寄生电容和导线电感。趋势/涌流
评级，推荐为比高出至少10％的
平均晶体管电流。额定功率，然后通过验证
通过计算功率损耗给出的有效值晶体管的电流
和导通电阻的NFET （注册商标
DS -ON
).
当PWM调光时， LM3424需要另一个氧化物半导体场效应晶体管
（ Q2）串联（或并联的降压稳压器）与
LED负载。这个MOSFET应该有一个额定电压等于
到输出电压（V
O
）和一个电流额定值至少为10％
比标称LED电流（I更高
LED
） 。额定功率
简直是V
O
乘我
LED
假设100 ％的调光占空比
将发生周期（连续工作）。
在一般情况下， NFET的选择应总栅极最小化
电荷（Q
g
）当f
SW
高且最大限度地减少
DS -ON
否则。
这将最大限度地减少了占主导地位的功率损耗在系统中。
通常情况下，大封装更高电流的NFET是CHO-
孙中山为更好的散热性能。
回流二极管
重新回流二极管（ D1） ，需要携带的感应器
吨时电流
关闭
。为D1 ，最有效的选择是
肖特基二极管由于低的正向电压降和近零
反向恢复时间。类似Q1， D1被推荐
有一个额定电压高于最大值的至少15％的
晶体管的电压来保证振铃期间安全运行
交换节点和一个电流额定值高至少10％的
比一般的二极管电流。额定功率被验证
通过计算通过所述二极管的功率损耗。这是AC-
通过检查典型的二极管的正向电压complished
从产品数据表和乘法的IV曲线
通过二极管的平均电流。在一般情况下，较高的电流
二极管具有更低的正向电压和进来更佳的性能
形成包既减少功率损耗和temper-
ATURE上升。
电路布局
的任何开关稳压器的性能取决于尽可能多
一旦在PCB作为组分选择的布局。跟着
降脂一些简单的指导方针将maximimize噪声抑制
而电路中最大限度地减少EMI的产生。
不连续的电流是最容易产生EMI ，
因此，应小心这些路由路径时服用。该
在LM3424降压稳压电流断续的主要路径
软件模拟器包含了输入电容（C
IN
） ，再循环
二极管（D1） ，所述N沟道MOSFET（Q1） ，并读出再
体管（R
LIM
） 。在LM3424升压稳压器， discontinu-
OU的电流流过输出电容器（C
O
） ，D1 ，Q1
和R
LIM
。在降压 - 升压型稳压器两个回路都断开
连续的，并应仔细奠定了。这些循环应
保持尽可能小，并且所有的连接
该组件应该是短而粗，以减少对位
SITIC电感。特别地，交换节点（其中L1 ，D1
和Q1连接）应该是足够大的连接
组件。为了最大限度地减少过度加热，大面积覆铜
浇筑可置于相邻的短电流路径
开关节点。
在RT ， COMP ， CSH ， IS ， TSENSE ， TREF ， HSP和HSN
引脚都是高阻抗输入端，外部情侣
噪音很容易，因此含有这些节点的循环
应该被最小化只要有可能。
在一些应用中， LED或LED阵列可以是远
从LM3424 （几英寸或更大） ，或者在一个单独的
印刷电路板通过一个线束连接。当输出capac-
itor用于与LED阵列是大还是从分离
稳压器的其余部分，输出电容应放置
接近LED ，以减少寄生电感效应
在电容器上的交流阻抗。
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