晶体管
2SC4606
NPN硅外延平面型
对于低频驱动器放大
补充2SA1762
6.9±0.1
2.5±0.1
1.0
1.0
2.4±0.2 2.0±0.2 3.5±0.1
单位：mm
s
特点
q
q
1.5
0.4
1.5 R0.9
R0.9
0.85
0.55±0.1
0.45±0.05
1.25±0.05
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
(Ta=25C)
评级
80
80
5
1
0.5
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
3
2
1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
2.5
2.5
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ： SC- 71
M型模具包
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 100μA ，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 150毫安
*2
V
CE
= 5V ，我
C
= 500毫安
*2
I
C
= 300毫安，我
B
= 30毫安
*2
I
C
= 300毫安，我
B
= 30毫安
*2
V
CB
= 10V ，我
E
= -50mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
80
80
5
130
50
100
0.2
0.85
120
11
*2
民
典型值
最大
0.1
4.1±0.2
q
高集电极到发射极电压V
首席执行官
.
最适用于低频率的驱动级和25至30W
输出放大器。
M型封装可以方便的自动和手动插入的
以及独立固定到印刷电路板上。
1.0±0.1
R
0.
4.5±0.1
7
单位
A
V
V
V
330
0.4
1.2
V
V
兆赫
20
pF
脉冲测量
*1
h
FE1
等级分类
R
130 ~ 220
S
185 ~ 330
秩
h
FE1
1
