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XC164KM
衍生产品
电气参数
表13
参数
电源电流（活性）
与所有外设活跃
功耗XC164KM
（适用的工作条件）
对称
限值
BOL
分钟。马克斯。
单元测试条件
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
DDI
–
–
15 +
2.6
×
f
中央处理器
10 +
2.6
×
f
中央处理器
5
15 +
1.2
×
f
中央处理器
10 +
1.2
×
f
中央处理器
84,000
×
e
-α
-16F衍生物
f
中央处理器
在[兆赫]
1)2)
,
f
中央处理器
在[兆赫]
1)2)
,
3)
- 4F / 8F衍生物
垫电源电流
待机模式下电源电流
所有外设活跃
I
DDP
I
IDX
–
–
–
f
中央处理器
在[兆赫]
2)
,
f
中央处理器
在[兆赫]
2)
,
-16F衍生物
- 4F / 8F衍生物
休眠和掉电模式
电源电流引起的
泄漏
4)
I
PDL5)
–
α
= 4380 / (273 +
T
J
)
-16F衍生物
mA
α
= 4670 / (273 +
T
J
)
- 4F / 8F衍生物
V
DDI
=
V
DDImax6)
T
J
在[° C]
–
休眠和掉电模式
I
PDM7)
–
电源电流引起的
泄漏和运行的RTC ，
由主时钟振荡器
4)
128,000
×
e
-α
0.6 +
mA
0.02
×
f
OSC
+
I
PDL
V
DDI
=
V
DDImax
f
OSC
在[兆赫]
1 ）在闪存编程或擦除操作电源电流增加最多。 5毫安。
2）供电电流的工作频率的函数。这种依赖关系示于
网络连接gure 10 。
这些参数是在测试
V
DDImax
和最大CPU时钟频率，所有输出断开，
所有输入的
V
IL
or
V
IH
.
3）垫电源电压引脚（
V
DDP
）主要提供了引脚输出驱动器消耗的电流。一个小
虽然没有输出驱动电流的量甚至消耗，因为司机的输入级
切换也是闪存模块，得出了一些力量从
V
DDP
供应量。
4）睡眠和掉电模式下的总电源电流与温度相关的泄漏总和
当前和RTC和主振荡器的频率取决于电流。
5 ）该参数主要是由晶体管的泄漏电流来确定。该电流在很大程度上取决于
结温（见
图12）。
结温
T
J
相同的环境温度下
T
A
如果没有电流流过该端口输出驱动器。否则，所得的温度差必须为
考虑到。
6 ）所有输入（包括配置为输入引脚）为0 V至0.1 V或
V
DDP
- 0.1 V至
V
DDP
，所有输出（包括
配置为输出）引脚断开。此参数是在25测试
°C
并且是有效的
T
J
≥
25
°C.
7 ）该参数主要取决于由振荡器所消耗的电流切换到低增益模式（见
图11）。
此电流，然而，由外部振荡电路（晶体，电容器）的影响。该
给定值是指一种典型的电路和在壳体的未优化的外部振荡器电路可以改变。
数据表
50
V1.2, 2007-03
