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XC164KM
衍生产品
电气参数
4.3.2
片内Flash操作
该XC164KM的Flash模块固定接入的时间内提供的数据（见
表15）。
访问到Flash模块是由PMI控制，并采取1 + WS时钟周期，
其中，通过位域WSFLASH中选择WS的Flash访问的等待状态数
注册IMBCTRL 。接入相的生成的持续时间必须覆盖访问
时间
t
加
闪存阵列中。所需的闪存等待状态取决于实际的系统中
频率。
Flash访问的等待状态只影响非顺序访问。由于预取
机制，用于顺序访问的性能（取决于软件
结构）仅部分地由等待状态的影响。
在典型应用中，消除一种等待状态增加了由平均性能
5% … 15%.
表15
参数
闪存模块访问时间
闪存特性
（适用的工作条件）
符号
分钟。
限值
典型值。
–
2
2)
200
2)
马克斯。
50
1)
5
500
ns
ms
ms
单位
t
加
CC –
每128字节的块编程时间
t
PR
CC –
t
ER
CC –
删除每个扇区的时间
1 ）实际存取时间由系统频率的影响，见
表16 。
2）执行编程和擦除时间取决于系统的频率。典型的值是有效的为40兆赫。
例如：对于40兆赫（时钟周期= 25纳秒）的工作频率中，闪存
访问必须被1等待状态中执行： （ （1 + 1）的
×
25纳秒）
≥
50纳秒。
表16
表示等待状态和系统频率的相互关系。
表16
Flash访问的等待状态
频带
所需的等待状态
0 WS （ WSFLASH = 00
B
)
1 WS （ WSFLASH = 01
B
)
f
中央处理器
≤
20兆赫
f
中央处理器
≤
40 MHZ
注意：可达到的最大系统频率是由所述的性质的限制
各衍生工具，即40兆赫（或20MHz为XC164KM - xF20F设备） 。
数据表
57
V1.2, 2007-03
