单节电池保护IC
AOZ9004D
概述
该AOZ9004D是电池保护IC ，集成
双共漏极的N沟道MOSFET 。该装置
包括精确的电压检测电路和延迟电路，
并适用于保护单节锂离子/
从锂聚合物可充电电池组
过充电，过放电，和过电流的条件。
该AOZ9004D可以采用2mm x 5mm的4引脚DFN
封装，额定温度范围为-40 ° C至+ 85 °C的环境
温度范围。
特点
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集成的共漏极N沟道MOSFET
高精度的电压检测电路
过充电检测精度± 25mV的（ + 25 ° C） ，
± 30mV的（ -5 ° C至+ 55 ° C）
过充电解除精度± 50mV的
过放电检测精度± 50mV的
过放电释放精度± 100mV的
放电过电流检测精度± 15mV的
负载短路检测精度± 200mV的
充电过电流检测精度± 30mV的
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± 20％的精确的内部检测延迟时间
（不需要外接电容）
充电器的连接引脚可承受高达28V
宽工作温度范围： -40°C至+ 85°C
低电流消耗
3.0
A（典型值） ， 5.5
A（最大）中的操作模式，在
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+25°C
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小型，2mm x 5mm的4引脚DFN封装
应用
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锂离子可充电电池组
锂聚合物可充电电池组
典型用途
EB +
R1
200Ω
4
3
VDD
单细胞
锂离子或
锂聚合物
电池
C1
0.1μF
VM
R2
2kΩ
AOZ9004D
VSS
1
OutM中
2
EB-
图1.典型应用
修订版1.1 2008年8月
www.aosmd.com
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