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恩智浦半导体
LPC2104/2105/2106
单芯片32位微控制器
15.0
I
DD （空闲）
（MA ）
10.0
60兆赫
48兆赫
5.0
12兆赫
002aad712
0.0
1.65
1.70
1.75
1.80
1.85
1.90
1.95
内核电压（ V）
测试条件：空闲模式进入片上的灰FL执行代码; PCLK =
CCLK
4
;
T
AMB
= 25
°C;
所有外设启用。
图8 。
典型LPC2104 /二千一百〇六分之二千一百〇五/ 01 I
DD （空闲）
在不同的核心电压测量
45
60兆赫
I
DD （ ACT ）
（MA ）
35
48兆赫
002aad713
25
15
12兆赫
5
40
15
10
35
60
85
温度（℃）
测试条件：主动模式进入片上的灰FL执行代码; PCLK =
CCLK
4
;核心
电压1.8 V ;所有外设禁用。
图9 。
典型LPC2104 /二千一百〇六分之二千一百〇五/ 01 I
DD （ ACT ）
在不同温度下测得的
LPC2104_2105_2106_7
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产品数据表
牧师07 - 2008年6月20日
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