LRCK
t
BCH
BCK
t
BCY
DATA1-DATA3
t
DS
t
DH
t
BL
t
BCL
t
LB
Ⅴ的50％的
DD
Ⅴ的50％的
DD
Ⅴ的50％的
DD
符号
t
BCY
t
BCH
t
BCL
t
BL
t
LB
t
DS
t
DH
参数
BCK脉冲周期时间
BCK高级别时间
BCK低电平时间
BCK上升沿LRCK边缘
LRCK下降沿到BCK上升沿
DIN建立时间
DIN保持时间
民
最大
48或64F
S(1)
单位
50
50
30
30
30
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注： （ 1 ）F
S
为采样频率（例如， 44.1kHz时， 48kHz的， 96kHz的等）
图5.音频接口时序。
最高位
读/写
IDX6 idx5对应idx4显式地的idx3 IDX2 IDX1 IDX0
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D5
D4
D3
D2
D1
最低位
D0
注册指数（或地址）
读/写操作
0 =写操作
1 =读操作（寄存器指数被忽略）
注册资料
图6.控制数据字格式为MDI 。
ML
MC
MDI
X
0
IDX6 idx5对应idx4显式地的idx3 IDX2 IDX1 IDX0 D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
X
X
D15 D14
图7.写操作时序。
寄存器的写操作
串行控制端口所有的写操作使用16位
数据字。图6示出了控制数据字格式。
最显著位是读/写（R / W）位。当
设置为“0”时，该位表示写操作。有
7比特，标记IDX [6：0 ]，即设置寄存器索引（或
地址）的写入操作。所述至少显著8
位D [ 7：0] ，其中包含的数据将被写入到寄存器
由IDX指定的[6：0 ] 。
图7示出了用于写功能的时序图
串行控制端口。 ML保持在逻辑“1”状态，直到
寄存器需要被写入。要启动寄存器写周期，
ML被设置为逻辑'0'。十六个时钟脉冲，然后设置在
MC中，对应于16位的控制数据字的上
MDI 。后第十六时钟周期已经完成， ML是
设定为逻辑“1”到数据锁存到索引模式
控制寄存器。
单个寄存器读操作
读操作使用所示的16位控制字格式
在图6中对于读操作，则读/写（R / W）位
被设置为'1'。读操作忽略指数位， IDX [ 6 ： 0 ]
的控制数据字。相反， REG [6： 0]位
控制寄存器11用于设置该寄存器的索引
这是读操作过程中被读取。比特IDX [6：0 ]
应该被设置为00
H
对于读操作。
图8中详细介绍了读操作。首先，控制寄存器
11必须写入将要读取的寄存器的索引
回来了。此外， INC位必须设置为逻辑“0”
要禁用自动递增的读取功能。该
读周期，然后通过设置ML逻辑发起“0”和
设定控制数据字的R / W位为逻辑'1'，
表示读操作。 MDO保持在高阻抗
ANCE状态，直到最后一个8位的16位读周期，该
12
PCM1600 ， PCM1601
