STK16C88-3
32K ×8
AutoStorePlus
NVSRAM
3.3V
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
特点
透明的数据保存在掉电
内部电容担保
自动存储
无论掉电压摆率
可直接替代32K x 8静态RAM ，电池 -
支持RAM或EEPROM
35访问时间
商店
通过发起非易失性元件
软件或
AutoStorePlus
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
周期为非易失性元素
ments （商业/工业）
100年的数据保存在非易失性元素
ments （商业/工业）
单3.3V
+
0.3V操作
商业和工业温度
28引脚PDIP封装
框图
量子阱
512 x 512
V
CC
商店/
召回
控制
描述
该STK16C88-3是一个快速
SRAM
与非易失性
在每个静态存储单元结合的元素。
该
SRAM
可以读取和写入无限
次数，而独立的非易失性数据
驻留在非易失性元件。从数据传输
该
SRAM
到非易失性元件（在
商店
操作），可以在上电自动发生
下来。内部电容保证
商店
操作无论掉电压摆率。
从非易失性元件的转移
SRAM
（该
召回
操作）发生automati-
关于美云恢复电力。的开始
商店
和
召回
循环也可以通过输入控制
上的控制序列
SRAM
输入。该
STK16C88-3是引脚兼容32K ×8
SRAM
s
和电池备份
SRAM
S，允许直接substitu-
化，同时提供卓越的性能。该
STK14C88-3 ，它使用一个外部电容器，是
也可提供。
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
商店
静态RAM
ARRAY
512 x 512
召回
动力
控制
国内
电容
V
CC
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
行解码器
28 - 600 PDIP
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
软件
检测
A
0
- A
13
引脚名称
A
0
- A
14
W
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（ + 3.3V ）
地
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
DQ
0
- DQ
7
G
E
W
E
G
V
CC
V
SS
2006年3月
1
文件控制＃ ML0019修订版0.2
