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LT3743
应用信息
7
6
MOSFET的损耗（ W）
5
总
4
过渡
3
2
1
欧姆
0
0
10
20
输入电压（ V）
3743 F04a
2.5
MOSFET的损耗（ W）
2.0
1.5
总
1.0
过渡
0.5
欧姆
30
40
0
0
10
20
输入电压（ V）
30
40
3743 F04B
图4a。功率损耗示例M1
图4
图4b。功率损耗示例M2
只要有可能，利用开关MOSFET的
最大限度地减少了总栅极电荷限制的内部电源
耗散LT3743的。
表3.推荐开关FET
V
IN
V
OUT
I
D
（ V） （ V） （A ）
8
24
24
12
36
24
4
4
2-4
2-4
4
4
热门FET
底部FET制造商
被用作输入电容。只用型或X5R
X7R电容器，因为它们维持其容量超过
大范围的工作电压和温度。
输出电容的选择
输出电容器需要具有非常低的ESR （等效
串联电阻），以允许LED电流迅速扩大。
最小负载电流的50μF / A的应使用
大多数设计。电容器也需要浪涌额定
到的最大输出电流。实现最低
可能的ESR ，几个低ESR电容，应使用
并联。许多应用好处科幻吨，从使用高
密度POSCAP电容，它很容易被破坏
当暴露在过压条件。为了防止这种情况
选择POSCAP电容具有电压额定值
比调节电压高至少50％的
C
BOOT
电容的选择
了C
BOOT
电容必须小于220nF的尺寸更小，
超过50nF ，以确保LT3743的正确操作。
使用220nF的大电流开关MOSFET的高
栅极电荷。
5-10 RJK0365DPA RJK0330DPB瑞萨
5 RJK0368DPA RJK0332DPB www.renesas.com
20
10
20
40
RJK0365DPA
FDMS8680
Si7884BDP
PSMN4R0-
30YL
RJK0346DPA
FDMS8672AS仙童
www.fairchildsemi.com
SiR470DP
日前，Vishay
www.vishay.com
RJK0346DPA恩智浦/飞利浦
www.nxp.com
输入电容的选择
输入电容应4μF的大小，每1A
放在非常靠近高压侧的输出电流和
MOSFET。小型1μF的陶瓷电容应放置
附近的V
IN
和地面LT3743的引脚优化
抗干扰能力。输入电容应该有一个波动
额定电流的一半的最大输出电流。
所以建议几个低ESR的陶瓷电容器
3743f
15
