BU9883FV-W
内存
cell characteristics(Ta=25℃, VCC0½3 = 3.0½5.5V)
参数
写入/擦除周期
数据保留
* 1 ：未经100％测试
*1
*1
技术说明
规范
分钟。
1,000,000
40
典型值。
-
-
马克斯。
-
-
单位
周期
岁月
。输入/输出
能力（ TA = 25 ℃ ，频率= 5MHz时）
参数
符号
SDA引脚（ SDA0,1,2,3 ）
*1
SCL引脚（ SCL0,1,2,3 ）
*1
* 1 ：未经100％测试
分钟。
-
-
典型值。
7
7
马克斯。
-
-
单位
pF
pF
CIN
Cin2
“ EEPROM
DC operating characteristics (Unless otherwise specified, Ta=-40½85℃, VCC0½3 = 3.0½5.5V)
规范
参数
符号
单位
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
"H"输入Voltage0
"L"输入Voltage0
"H"输入电压1
"L"输入电压1
"H"输入电压2
"L"输入电压2
"H"输入Voltage3
"H"输入Voltage3
"L"输出Voltage0
"L"输出电压1
"L"输出电压2
"L"输出Voltage3
WP "H"输入电压
WP "L"输入电压
输入漏Current0
输入漏电流1
输出泄漏Current0
VIH0
VIL0
VIH1
VIL1
VIH2
VIL2
VIH3
VIL3
VOL0
VOL1
VOL2
VOL3
VIH4
VIL4
ILI0
ILI1
ILO0
ICC1
工作电流
ICC2
待机电流
待机电流
待机电流
待机电流
ISB0
ISB1
ISB2
ISB3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
100
100
100
100
mA
μA
μA
μA
μA
0.7xVCC0
-0.3
0.7xVCC1
-0.3
0.7xVCC2
-0.3
0.7xVCC3
-0.3
-
-
-
-
0.7xVCC0
-0.3
-1
55
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
110
-
-
VCC0+0.5
0.3xVCC0
VCC1+0.5
0.3xVCC1
VCC2+0.5
0.3xVCC2
VCC3+0.5
0.3xVCC3
0.4
0.4
0.4
0.4
VCC0+0.3
0.3xVCC
1
230
1
2.0
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
μA
mA
≦ 3.0 ≦ VCC0 5.5V（ SCL0 ， SDA0 ）
≦ 3.0 ≦ VCC0 5.5V（ SCL0 ， SDA0 ）
≦ 3.0 ≦ VCC1 5.5V（ SCL1 ， SDA1 ）
≦ 3.0 ≦ VCC1 5.5V（ SCL1 ， SDA1 ）
≦ 3.0 ≦ VCC2 5.5V（ SCL2 ， SDA2 ）
≦ 3.0 ≦ VCC2 5.5V（ SCL2 ， SDA2 ）
≦ 3.0 ≦ VCC3 5.5V（ SCL3 ， sda3的）
≦ 3.0 ≦ VCC3 5.5V（ SCL3 ， sda3的）
IOL = 3.0毫安， 3.0V ≦ VCC0 ≦ 5.5V （ SDA0 ）
IOL = 3.0毫安， 3.0V ≦ VCC1 ≦ 5.5V （ SDA1 ）
IOL = 3.0毫安， 3.0V ≦ VCC2 ≦ 5.5V （ SDA2 ）
IOL = 3.0毫安， 3.0V ≦ VCC3 ≦ 5.5V （ sda3的）
3.0≦VCC0≦5.5V(WPB)
3.0≦VCC0≦5.5V(WPB)
VIN=0½5.5V(SCL0½3)
WPB = 5.5V ， VCC = 5.5V
VOUT=0½5.5(SDA0½3)
VCC0 = 5.5V ，的fSCL = 400kHz的， tWR的= 5ms的
字节写入，页写入
VCC0½3=5.5V, fSCL=400kHz
随机读取，当前的读，顺序
阅读（每个端口操作）
VCC½0=5.5V, SDA0½3=SCL0½3=5.5V,
WPB = GND
VCC1=5.5V, SDA0½3=SCL0½3=5.5V,
WPB = GND
VCC2=5.5V, SDA0½3=SCL0½3=5.5V,
WPB = GND
VCC3=5.5V, SDA0½3=SCL0½3=5.5V,
WPB = GND
本
产品并非设计用于防止放射性射线。
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2009.04 - Rev.B的
