SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
符号
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
C
ob
f
T
2SA1006 2SA1006A 2SA1006B
条件
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
V
CB
= -150V ，我
E
=0
V
EB
= -3V ;我
C
=0
I
C
= -5mA ; V
CE
=-5V
I
C
= -150mA ; V
CE
=-5V
I
E
=0 ; V
CB
=-10V,f=1MHz
I
C
= -100mA ; V
CE
=10V
民
典型值。
最大
-1.0
-1.5
-1
-1
单位
V
V
A
A
30
60
45
80
320
pF
兆赫
h
FE-2
分类
R
60-120
Q
100-200
P
160-320
2
