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图列表
图。
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2.10.4
2.11.1
2.11.2
2.11.3
2.11.4
2.11.5
2.11.6
2.11.7
2.11.8
2.11.9
复位输入时间..................................................................................................... 2-101
闪存版本的存储器映射3850组................................... 2-103
相关的闪存寄存器的内存映射......................................... 2 -104
闪存控制寄存器结构............................................ ............ 2-104
例如重写的内置闪存的串行I / O模式......................... 2-108
在串行I连接示例/ O模式( 1 ) ....................................... ................ 2-109
在串行I连接示例/ O模式( 2 ) ....................................... ................ 2-109
在串行I连接示例/ O模式( 3 ) ....................................... ................ 2-110
在CPU改写模式的内置闪存重写系统的例子。 2-111
CPU改写模式开始/释放流程图........................................... 2-112 ......
第3章附录
图。 3.1.1电路测量输出开关特性......................................... ... 3-9
图。 3.1.2时序图........................................................................................................... 3-10
图。 3.2.1闪存版电源电流的标准特性(在高速
模式, F(X
IN
) = 8兆赫) ............................................. .................................................. 3-11
图。 3.2.2闪存版电源电流的标准特性(在高速
模式, F(X
IN
)= 4 MHz时) ............................................. .................................................. 3-11
图。 3.2.3闪存版本的电源电流标准特性(以中等
速度模式, F(X
IN
) = 8兆赫) ............................................. ...................................... 3-12
图。 3.2.4闪存版本的电源电流标准特性(以中等
速度模式, F(X
IN
)= 4 MHz时) ............................................. ...................................... 3-12
图。 3.2.5闪存版本的电源电流标准特性(低速
模式) ........................................................................................................................... 3-13
图。 3.2.6掩模ROM版电源电流标准特性(高速
模式, F(X
IN
) = 8兆赫) ............................................. .................................................. 3-14
图。 3.2.7掩模ROM版电源电流标准特性(高速
模式, F(X
IN
)= 4 MHz时) ............................................. .................................................. 3-14
图。 3.2.8掩模ROM版电源电流标准特性(以中速
模式, F(X
IN
) = 8兆赫) ............................................. .................................................. 3-15
图。 3.2.9掩模ROM版电源电流标准特性(以中速
模式, F(X
IN
)= 4 MHz时) ............................................. .................................................. 3-15
图。 3.2.10掩模ROM版电源电流标准特性(低速
模式) ......................................................................................................................... 3-16
图。 3.2.11 PROM版本电源电流的标准特性(在高速模式时,
F(X
IN
)= 8兆赫) ......................................................................................................... 3-17
图。 3.2.12 PROM版本电源电流的标准特性(在高速模式时,
F(X
IN
)= 4 MHz时) ......................................................................................................... 3-17
图。 3.2.13 PROM版本电源电流标准特性(以中速
模式, F(X
IN
) = 8兆赫) ............................................. ................................................ 3- 18
图。 3.2.14 PROM版本电源电流标准特性(以中速
模式, F(X
IN
)= 4 MHz时) ............................................. ................................................ 3- 18
图。 3.2.15 PROM版本电源电流的标准特性(低速模式)
........................................................................................................................................................ 3-19
图。 3.2.16 CMOS输出端口P沟道侧特性(Ta = 25℃) ....................... 3-20
图。 3.2.17 CMOS输出端口N沟道一侧特性(Ta = 25℃) ...................... 3-20
图。 3.2.18 N沟道开漏输出端口N沟道一侧特性(Ta = 25℃) .. 3-21
图。 3.2.19 CMOS大电流输出端口N沟道一侧特性(Ta = 25℃) 。 3-21
图。 3.2.20 CMOS输出端口P沟道侧特性(Ta = 25℃) ....................... 3-22
图。 3.2.21 CMOS输出端口N沟道一侧特性(Ta = 25℃) ...................... 3-22
图。 3.2.22 N沟道开漏输出端口N沟道一侧特性(Ta = 25℃) .. 3-23
第八
3850组(规格,高)用户手册

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