PIC12F609/615/617/12HV609/615
4.3.3
LP ， XT和HS模式
在LP ， XT和HS模式支持使用石英
体谐振器或连接到陶瓷谐振器
OSC1和OSC2 （图4-3） 。模式选择低，
在内部反相中等或高增益设定
放大器，以支持各种谐振器类型及速度。
LP
振荡模式选择的最低增益设置
内部反相放大器。 LP模式的电流
消耗是至少在三种模式中。此模式
被设计用来驱动仅32.768 kHz的音叉型
水晶（水晶表片） 。
XT
振荡模式选择中等增益
内部反相放大器的设置。 XT模式
电流消耗在这三种模式中居中。
该模式最适合于驱动谐振器与
中等驱动电平规范。
HS
振荡模式选择的最高增益设置
内部反相放大器。 HS模式的电流
消费是最高的三种模式。这
模式最适合用于需要高谐振器
驱动设置。
图4-3和图4-4所示的典型电路
石英晶体和陶瓷谐振器，分别。
注1 ：
石英晶振的特性各不相同，根据
类型，封装和制造商。该
用户应该查阅制造商的数据
张规格说明和推荐
应用程序。
2:
总是在验证振荡器
在V
DD
和温度范围内是
预计该应用程序。
3:
如需振荡器设计帮助，参考
以下Microchip应用笔记：
AN826 ， “水晶
振荡器基础知识和
水晶选型rfPIC
和PIC
设备“
(DS00826)
AN849 ， “基本
PIC
振荡器设计“
(DS00849)
AN943 ， “实用
PIC
振荡器
分析与设计“
(DS00943)
AN949 ， “使
你的振荡器工作“
(DS00949)
图4-4：
陶瓷谐振器
手术
（ XT或HS模式）
PIC
MCU
OSC1/CLKIN
图4-3：
石英晶体
工作原理（LP ， XT或
HS模式）
PIC
MCU
OSC1/CLKIN
C1
与内部
逻辑
R
P
(3)
R
F
(2)
睡觉
C1
石英
水晶
与内部
逻辑
R
F
(2)
睡觉
C2陶瓷
R
S
(1)
谐振器
OSC2/CLKOUT
C2
R
S
(1)
OSC2/CLKOUT
注1 ：
一个串联电阻（R
S
） ，可能需要对
陶瓷谐振器，低驱动电平。
注1 ：
2:
一个串联电阻（R
S
） ，可能需要对
石英晶体具有低驱动电平。
R的值
F
随振荡器模式
选择（通常介于2 M至10 M 。
2:
R的值
F
随振荡器模式
选择（通常介于2 M至10 M 。
3:
一个并联反馈电阻（R
P
)
可能需要的适当的陶瓷谐振器
操作。
2010 Microchip的技术公司
DS41302D第39页
