PIC12F609/615/617/12HV609/615
产品标识体系
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.
产品型号
设备
X
温度
范围
/XX
包
XXX
图案
示例：
a)
b)
设备：
PIC12F609 ， PIC12F609T
(1)
， PIC12HV609 ， PIC12HV609T
(1)
,
PIC12F615 ， PIC12F615T
(1)
， PIC12HV615 ， PIC12HV615T
(1)
,
PIC12F617 ， PIC12F617T
(1)
（高温）
(3)
（工业级）
（扩展）
c)
d)
e)
温度
范围：
H
I
E
= -40 ° C至+ 150°C
= -40 ° C至+ 85°C
= -40 ° C至+ 125°C
f)
g)
h)
包装：
P
SN
MS
MF
MD
=
=
=
=
=
塑料DIP封装（ PDIP ）
8引脚小外形（ 150万） （ SOIC ）
微型小外形封装（ MSOP ）
8引脚塑料双列扁平无引线（ 3×3 ） （ DFN ）
8引脚塑料双列扁平无引线
(4x4)(DFN)
(1,2)
i)
PIC12F615 -E / P 301 =扩展级温度， PDIP
包， 20兆赫， QTP的图案＃ 301
PIC12F615 -I / SN =工业级温度， SOIC
封装， 20 MHz的
PIC12F615T -E / MF =卷带式，扩展
温度， 3×3 DFN ， 20兆赫
PIC12F609T -E / MF =卷带式，扩展
温度， 3×3 DFN ， 20兆赫
PIC12HV615T -E / MF =卷带式，
扩展温度， 3×3 DFN ， 20兆赫
PIC12HV609T -E / MF =卷带式，
扩展温度， 3×3 DFN ， 20兆赫
PIC12F617T -E / MF =卷带式，扩展
温度， 3×3 DFN ， 20兆赫
PIC12F617 -I / P =工业级温度， PDIP封装
年龄， 20兆赫
PIC12F615 -H / SN =高温度， SOIC封装
年龄， 20兆赫
T =卷带式的MSOP ， SOIC和
唯一DFN封装。
不适用于PIC12F617 。
高温。可用于PIC12F615只。
注1 ：
2:
3:
图案：
QTP ， SQTP或ROM代码;特殊要求
（空白否则）
2010 Microchip的技术公司
DS41302D第211页
