LTC3862-1
应用信息
选择电感值是57.8μH和部分
号码是PA2050-583 ，通过脉冲工程制造
neering 。这个电感器具有的饱和电流值
5A的。
8.选择该应用程序的功率MOSFET是
瑞萨HAT2267H 。该MOSFET的典型
R
DS （ ON）
13mΩ在V的
GS
= 10V 。在BV
DSS
被评为
至少80V的最大持续
漏极电流为25A 。典型栅极电荷为30nC
的V
GS
= 10V 。最后但并非最不重要的，这MOSFET具有
绝对最大雪崩能量EAS评级
30MJ的，这表明它能够雪崩
没有灾难性的失败。
9.总IC静态电流， IC功耗和
最高结温大约是：
I
Q（ TOT ）
= I
Q
+ 2 Q
G（ TOT ）
f
= 3毫安+ 2 30nC 为300kHz = 21毫安
P
DISS
= 24V 21毫安= 504mW
T
J
= 70 ° C + 504mW 34 ° C / W = 87.1 ℃，
10.电感纹波电流被选择为40％的
和最大负载电流是1.5A 。对于当前
限设定在30 ％以上的最大负载电流，则
最大的开关及感测电阻电流为：
1.3 I
O（最大值）
1
I
SW （最大）
=I
R（ SENSE ）
=
1+
n
2
1– D
最大
1
0.4 1.3 1.5A
=
1+
=
3.5A
2
2
1– 0.669
11.为最大电流检测门限
LTC3862-1是为75mV ，在低占空比和一个归一化
1.0增益斜率。使用图20中，最大感
电压下降到电压68mV ，在70 ％与占空比
1个标准化的斜率增益，因此检流电阻
计算为：
R
SENSE
=
V
SENSE （ MAX）
I
SW （最大）
=
68mV
=
19.4mΩ
3.5A
选择这个应用程序的二极管是
MURS320T3H ，安森美半导体制造的。
这种表面安装二极管具有最大平均
图3A中，在140 ℃下的正向电流和最大反向
电压为200V 。最大正向电压降
在25℃下是0.875V ，并且在150℃下0.71V （正
串联电阻的TC是由补偿
二极管的正向电压的负TC） 。
由二极管消耗的功率大约是：
P
D
= I
D（峰）
V
F（峰）
(1 – D
最大
)
= 2.7A 0.71V （ 1 - 0.669 ） = 0.64W
14.两种类型的输出电容被连接在paral-
LEL此应用程序;低ESR陶瓷电容器
和铝电解大量贮存。为
1％的贡献，总的纹波电压时，
复合输出电容的ESR最大
大约是：
ESR
COUT
≤
0.01 V
OUT
0.01 72V
=
=
0.267Ω
I
D（峰）
2.7A
38621f
12.消耗在检测电阻的电流电源
限制是：
P
R（ SENSE ）
=
n
(
1– D
最大
)
2
1.3 I
O（最大值）
2
R
SENSE
D
最大
0.020 0.669
1.3 1.5
=
2
(
1– 0.669
)
=
0.12W
13.在升压二极管的平均电流是半
输出电流（ 1.5A / 2 = 0.75A ），但峰值电流
在每个二极管是：
I
O（最大值）
1
I
D（峰）
=
1+
n
2 1– D
最大
1
0.4
1.5A
=
1+
=
2.7A
2
2
1– 0.669
用于此应用的20MΩ ，1W表面贴装电阻
器被用于各相。
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