LTC3862-1
应用信息
电感饱和电流额定值需要更高
比在一个最坏情况下的峰值电感器电流
过载状态。如果我
O（最大值）
为最大额定负载
电流，则最大电流限制值（I
O（ CL ）
)
通常被选择为一些因素（例如，30％）
比我大
O（最大值）
.
I
O（ CL ）
= 1.3 I
O（最大值）
重新佛罗里达州阿拉斯这回输入，其中当前正在
测量，占纹波电流，给人以
最小饱和电流额定值的电感器：
I
L（ SAT ）
1.3 I
O（最大值）
1
1+
n
2
1– D
最大
I
D（最大）
和热阻RC-
日（ JA ）
和R
TH （JC）
两个
结点到环境和结点到外壳。
对于LTC3862-1栅极驱动器由PMOS上拉的
向上和NMOS下拉器件，从而允许充分INTV
CC
功率MOSFET中的电压施加到栅极
切换。然而，必须小心以确保
该最小栅极驱动电压仍苏夫音响cient到
全面提升了功率MOSFET 。检查MOSFET数据
小心片来验证第r
DS （ ON）
MOSFET的
是特定网络连接编为一电压小于或等于所述公称
最终INTV
CC
电压为10V 。对于需要应用
额定电压为5V的功率MOSFET，请参考LTC3862
数据表。
另外要密切关注BV
DSS
特定网络阳离子
MOSFET的相对于最大实际开关电压
年龄中的应用。检查的开关波形
使用单一的直接漏极端子上的MOSFET的
探头和高带宽的示波器。保证
漏极电压振铃不接近BV
DSS
的
MOSFET。过度振荡的高频一般
太多的串联电感的高di / dt的指示器
电流路径，其包括在MOSFET中，升压二极管，
输出电容，检测电阻和PCB走线
连接这些部件。在一些具有挑战性的AP-
并发症，可能有必要使用一个缓冲器，以便
限制本交换节点的dV / dt 。
最后，检查MOSFET制造商的数据手册
雪崩能量等级（ EAS ） 。有些MOSFET是不
额定体二极管雪崩和失败catastrophi-
如果在V美云
DS
超过器件BV
DSS
即使只通过
一伏的一小部分。雪崩额定MOSFET是更好的
能够维持高频率的漏 - 源附近振铃
该装置BV
DSS
在关断过渡。
计算功率MOSFET的开关和传导
损耗和结温
为了计算功率的结温
的MOSFET ，由该装置所消耗的功率必须是已知的。
此功耗是占空比的函数，该
负载电流和结温本身（由于
其R的正温度COEF音响cient
DS （ ON）
） 。作为
的额定饱和电流的电感应
在最小输入电压决定（其导致
在最高的占空比和最大输入电流） ，
最大输出电流，最大预期芯
温度。对于大多数的COM饱和电流额定值
商业上可用的电感砸在高温下。对
验证安全操作，它是表征一个好主意
电感器的核心/缠绕以下的温度下
条件：1）最坏情况操作条件下， 2）马克西
沉默允许环境温度和3）与电源
电源安装在网络最终外壳。热character-
化可以通过将一个热电偶在亲密做
与卷绕/芯结构联系，或掩埋
热电偶绕组本身内。
请记住，一个单端升压转换器
不
短路保护，并且在输出短路
状态，输出电流由输入只限于
供应能力。对于需要一个升压应用
转换器的短路保护功能，可考虑使用
一个SEPIC或正激变换器拓扑。
功率MOSFET选择
的峰对峰的栅极驱动电平由INTV设置
CC
电压在正常operat- 10V为LTC3862-1
荷兰国际集团的条件。对于功率MOSFET的选择标准
包含R
DS （ ON）
，栅极电荷Q
G
，漏极至源极突破性
下电压BV
DSS
，最大连续漏极电流
38621f
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