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HM64YLB36512系列
DC特性
（大= 0至+ 85°C ，V
DD
= 2.5 V
±
5%)
后期选择模式
晚写模式
参数
符号
民
最大
输入漏电流
I
LI
2
输出漏电流
I
LO
5
待机电流
I
SBZZ
150
V
DD
工作电流，不包括输出驱动器
I
DD
450
静态有效电源电流
I
DD2
200
最大功耗，其中包括输出驱动器P
2.3
参数
输出低电压
输出高电压
寄存器锁存
模式
民
最大
2
5
150
350
200
2.3
单位
A
A
mA
mA
mA
W
笔记
1
2
3
4
5
6
符号
民
典型值
最大
单位注
V
OL
V
SS
V
SS
+ 0.4
V
7
V
OH1
V
DDQ
0.4
V
DDQ
V
8
V
OH2
1.3
V
DDQ
V
12
ZQ引脚连接性
RQ
250
输出“低”当前
I
OL
(V
DDQ
/ 2）/ { （RQ / 5）
15%}
(V
DDQ
/ 2）/ { （RQ / 5） + 15％ }
毫安9,11
输出“高”当前
I
OH
(V
DDQ
/ 2）/ { （RQ / 5） + 15％ }
(V
DDQ
/ 2）/ { （RQ / 5）
15%}
毫安10,11
注：1。 0
≤
V
IN
≤
V
DDQ
所有输入引脚（除V
REF
， ZQ ， M1，M2引脚）
2. 0
≤
V
OUT
≤
V
DDQ
， DQ在高Z
3.所有输入（时钟除外），保持在任何V
IH
或V
IL
， ZZ保持在V
IH
, I
OUT
= 0毫安。规范
保证在+ 75 ° C的结温。
4. I
OUT
= 0 mA时，读出50 ％ /写的50 ％ ，V
DD
= V
DD
最大值，频率=分钟。周期
5. I
OUT
= 0 mA时，读出50 ％ /写的50 ％ ，V
DD
= V
DD
最大值，频率= 3兆赫
6.输出驱动12 pF负载和开关每个周期。该参数应该被使用的SRAM的设计者
确定用于SRAM器件的电气和封装的要求。
7. RQ = 250
,
I
OL
= 6.8毫安
8. RQ = 250
,
I
OH
=
6.8
mA
9.测量V
OL
= 1/2 V
DDQ
10.测量V
OH
= 1/2 V
DDQ
11. ZQ引脚的总外接电容必须小于7.5 pF的。
12. RQ = 250
,
I
OH
=
100 A
Rev.3.00 2006年1月13日29第9页
