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XMEGA A3
34.4
Flash和EEPROM存储器特性
耐力和数据保留
参数
条件
25°C
写/擦除
周期
85°C
FL灰
25°C
数据保留
55°C
25°C
写/擦除
周期
85°C
EEPROM
25°C
数据保留
55°C
25
100
YEAR
30K
25
80K
周期
100
YEAR
10K
民
10K
周期
典型值
最大
单位
表34-3 。
符号
表34-4 。
符号
编程时间
参数
芯片擦除
条件
闪存，EEPROM
(2)
和SRAM擦除
页擦除
FL灰
页面
写
页面
WriteAutomatic
页擦除和
写
页擦除
EEPROM
页面
写
页面
WriteAutomatic
页擦除和
写
民
典型值
(1)
40
6
6
12
6
6
12
ms
最大
单位
注意事项：
1.编程从内部2 MHz振荡器计时。
2. EEPROM不会被擦除如果EESAVE熔丝位被编程。
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8068R–AVR–08/10
