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LH28F160S5-L/S5H-L
4.8
字/字节写命令
字/字节的写入是通过一个双周期执行
命令序列。字/字节写入设置
（标准40H或10H交替）写入，然后
由第二写入指定的地址和
数据（锁存WE＃上升沿） 。该
WSM然后接管，控制字/字节
写在内部写校验算法。后
字/字节写操作写入，设备
自动输出状态寄存器的数据时，
读（见
图。 5）。
CPU可以检测
字/字节写事件被完成
分析STS引脚或状态寄存器位SR.7 。
当字/字节写操作完成时，状态寄存器
位SR.4会被检查。如果字/字节写入错误
被检测到时，状态寄存器应被清除。
内部WSM验证只检测了"1"s错误
没有成功写入"0"s 。崔
仍然在读状态寄存器模式，直到它
接收到另一个命令。
可靠的字/字节写操作只能发生在V
CC
=
V
CC1/2
和V
PP =
V
PPH1
。在没有这
高电压，内存的内容受到保护
对字/字节写入。如果字/字节写操作
试图同时V
PP
≤
V
PPLK
，状态寄存器位
SR.3和SR.4将被设置为"1".成功
字/字节写操作需要相应的
块锁定位被清除，或者，如果设置了WP ＃ = V
IH
.
如果字/字节写尝试的时候
相应的块锁位设置和WP ＃ = V
IL
,
SR.1和SR.4将被设置为"1".字/字节的写
与V操作
IL
< WP ＃ < V
IH
产生杂散
结果，不应该尝试。
4.9
多字/字节写命令
多字/字节写入至少由四执行
周期或多达35周期的指令序列。最多
在X8模式32字节（ x16模式下的16个字）
被装载到缓冲器和写入闪存
数组。首先，多字/字节写入设置（ E8H ）是
写入的写入地址。在这一点上，所述
设备会自动输出扩展状态
注册数据（ XSR ）读取时（见
图。 6
和
图。 7）。
如果扩展状态寄存器位XSR.7为0 ，
没有多字/字节写命令可用，
多字/字节写入设置刚刚已经
笔试将被忽略。要重试，继续监视
XSR.7写多字/字节写操作与设置
写地址，直到XSR.7转换到"1".当
XSR.7转换为"1" ，该设备已准备好
将数据加载到缓冲器中。一个字/字节数
（ N） -1写入写地址。写后
字/字节数（N ） -1 ，自动装置
转过身来输出状态寄存器的数据。该
字/字节数（N） -1必须小于或等于
到1FH在x8模式（ 0FH在x16模式） 。上的下一个
写，设备起始地址写入缓冲区
数据。后续写入提供额外的设备
地址和数据，根据该计数。所有
随后的地址必须位于内开始
地址加计数。后的最终缓冲数据是
写，写确认（ D0H ）必须写。这
同修WSM以开始缓冲器中的数据复制到
闪存阵列。无效的多字/字节写
命令序列将导致两种状态
寄存器位SR.4和SR.5被设置为"1".对于
额外多字/字节写，再写多
字/字节写操作的设置和检查XSR.7 。多
字/字节写入命令可以同时排队
WSM忙，只要XSR.7表示"1" ，
因为LH28F160S5 -L / S5H -L有两个缓冲器。如果
在写入时发生错误，则设备将停止
写作和冲洗旁边多字/字节写
命令在多字加载/字节写
命令。状态寄存器的位SR.4将被设置为"1" 。
没有多字/字节写命令才可用
无论SR.4或SR.5设为"1". SR.4和SR.5
发行多字/字节之前，应清除
写命令。如果一个多字/字节写
命令尝试过去的擦除块
边界时，该装置将数据写入到闪存
阵列最多擦除块边界，然后停止
写作。状态寄存器位SR.4和SR.5会
设置为"1" 。
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