BUK9Y19-55B
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
牧师03 - 2008年2月29日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
逻辑电平N沟道增强型功率场效应晶体管（ FET）在一个塑料
封装采用恩智浦高性能汽车（ HPA）的TrenchMOS技术。这
产品的设计，并有资格用在适当的AEC标准
汽车关键应用。
1.2产品特点
175
°C
评级
Q101标准
兼容逻辑电平
极低的通态电阻
1.3应用
12 V及24 V负载
通用开关电源
汽车系统
电机，灯具和螺线管
1.4快速参考数据
表1中。
符号
I
D
P
合计
R
DSON
快速参考
参数
漏电流
总功耗
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25
°C;
SEE
图1
和
4
T
mb
= 25
°C;
SEE
图2
V
GS
= 5 V ;我
D
= 20 A;
T
j
= 25
°C;
SEE
图12
和
13
I
D
= 46 A; V
SUP
≤
55 V;
R
GS
= 50
Ω;
V
GS
= 5 V;
T
J（下INIT ）
= 25
°C;
松开
民
-
-
-
典型值
-
-
16.3
最大
46
85
19
单位
A
W
mΩ
静态特性
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
-
-
80
mJ
