数据表

MOS集成电路

MC-458CB641ES,458CB641PS,458CB641XS

8M - WORD 64位

同步动态内存模块（ SO DIMM ）

EO

描述

特点

产品型号

MC-458CB641ES-A80

MC-458CB641ES-A10

MC-458CB641PS-A80

MC-458CB641PS-A10

MC-458CB641XS-A80

MC-458CB641XS-A10

在MC- 458CB641ES ， MC- 458CB641PS和MC- 458CB641XS是8388608字由64位同步

这些模块提供高密度和大量内存在小的空间，而不利用surface-

去耦电容安装在电源线上的噪声降低。

动态内存模块（小外形DIMM）上4条128M SDRAM ：

PD45128163组装。

安装技术的印刷电路板。

8388608字由64位组织

时钟频率和访问时间从CLK

/ CAS延时

CL = 3

时钟频率（最大）

125兆赫

100兆赫

从CLK访问时间（最大）

6纳秒

6纳秒

6纳秒

7纳秒

6纳秒

6纳秒

6纳秒

7纳秒

6纳秒

6纳秒

6纳秒

7纳秒

完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿

脉冲接口

可以断言随机列地址在每个周期中

由BA0控制四路内部银行， BA1 （库选择）

可编程的突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8和全页

可编程的缠绕顺序（顺序/交织）

可编程/ CAS延迟（ 2,3）

自动预充电和预充电控制

CBR （自动）刷新和自刷新

采用3.3 V单

±0.3

V电源

一号文件E0069N10 （第1版）

（上一页第M14015EJ5V0DS00 ）

发布日期2001年1月CP （ K）

日本印刷

L

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查

供应及其他信息。

本产品成为了EOL 2004年3月。

尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司

od

Pr

CL = 2

CL = 3

100兆赫

77兆赫

CL = 2

CL = 3

125兆赫

100兆赫

CL = 2

CL = 3

100兆赫

77兆赫

CL = 2

CL = 3

125兆赫

100兆赫

CL = 2

CL = 3

100兆赫

77兆赫

CL = 2

t

uc