
2N5551
典型特征
集电极输出电容
10
电容C
ob
(PF )
NPN硅晶体管
直流电流增益
10
3
V
CE
=5V
直流电流增益,H
FE
2
8
6
4
2
0
10
0
f=1MHz
I
E
=0
10
2
10
1
10
1
10
0
10
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
集电极 - 基极电压( V)
集电极电流,I
C
(MA )
基射极电压上
10
3
集电极电流,I
C
(MA )
饱和电压( V)
饱和电压
10
1
I
C
=10*I
B
V
CE
=5V
10
2
10
0
V
BE ( SAT )
10
1
10
-1
V
CE ( SAT )
10
-2
10
-1
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
0
10
1
10
2
10
3
基极 - 发射极电压(V)的
集电极电流,I
C
(MA )
电流增益带宽积
10
3
电流增益带宽积,
f
T
(兆赫)
V
CE
=10V
2
10
10
1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
集电极电流,I
C
(MA )
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
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QW-R201-002.B