CAT28F001
WSMS
7
ESS
6
ES
5
PS
4
VPPS
3
R
2
R
1
R
0
SR.7 =写状态机状态
1 =就绪
0 =忙
SR.6 =擦除挂起状态
1 =擦除暂停
0 =擦除/已完成
SR.5 =擦除状态
1 =错误在块擦除
0 =成功的块擦除
SR.4 =程序状态
1 =错误的字节编程
0 =成功字节编程
SR.3 = VPP状态
1 = V
PP
低检测;操作中止
0 = V
PP
好
SR.2 -SR.0 =保留未来增强
这些位被保留以供将来使用，并且应该屏蔽
出来的时候查询状态寄存器。
注意事项：
写状态机状态位必须先进行检查，以
确定编程或擦除完成之前，
编程或擦除状态位被选中的成功。
如果在编程和擦除状态位期间设置为“1”
删除的尝试，不正确的命令序列是
输入。再次尝试操作。
如果V
PP
检测到低状态，状态寄存器必须是
另一个程序之前清除或擦除操作
企图。
在V
PP
状态位，不像一个A / D转换器，没有提供
V的连续指示
PP
的水平。在WSM询问
在V
PP
级后，方可编程或擦除命令
序列已被输入，如果通知系统
V
PP
一直没有接通。在V
PP
状态位不
保证报告V之间的精确反馈
PPL
和
V
PPH
.
当状态寄存器表明编程
完成后，程序状态位应进行检查。如果
检测程序错误，状态寄存器应
清除。内部WSM验证只检测错误
“1”没有成功地编程到“0” 。该
命令寄存器保持在读状态寄存器
模式，直到进一步的命令是发给它。
位将被设置为“1”。当发出擦除设置和
擦除确认命令，它们应写入一个
该块的地址范围内的地址为
删除。图5示出了一个系统的软件流程图。
块擦除。
整个序列与V进行
PP
在V
PPH
.
中止时出现
RP
过渡到V
IL
或V
PP
下降到
V
PPL
。虽然WSM暂停，字节数据部分
编程或块数据被部分删除的
位置，它被中止。块擦除或重演
字节的编程将初始化这个数据到已知
值。
如果擦除/写程序试图同时V
PP
= V
PPL
中，
状态位（ SR.5 / SR.4）将被设置为“1”。擦除/编程
尝试同时V
PPL
＆ LT ; V
PP
＆ LT ; V
PPH
产生杂散
结果，不应该尝试。
嵌入式算法
该CAT28F001集成了快速脉冲编程
明算法芯片上，使用命令寄存器，
状态寄存器和写状态机（ WSM ） 。导通
芯片集成大大简化了系统软件
并提供了类似处理器的接口时序的
命令和状态寄存器。 WSM操作，跨
最终方案验证和V
PP
高电压的存在是
监控，并通过适当的状态寄存器报道
位。图4示出了用于系统软件流程图
器件编程。
如上所述，快速擦除算法现在imple-
内部mented ，包括块的所有预处理
数据。 WSM操作，擦除校验和V
PP
高压
在场进行监控，并通过状态报告
注册。此外，如果一个命令擦除比其他
确认写入设备后清除设置有
被写入，同时擦除状态和程序状态
BOOT BLOCK编程和擦除
引导块是为了遏制安全码
将微创弹出一个系统和控制程序 -
明和该装置的其他功能块的擦除，如果需要的话。
因此，额外的“锁定”保护提供
保证数据的完整性。引导块编程和擦除
通过高电压V启用操作
HH
on
或
RP
or
OE ，
与正常的程序和擦除
命令序列被使用。参考交流
波形编程/擦除。
如果引导块编程或擦除试图同时
RP
is
在V
IH
，无论是程序状态或擦除状态位
被设置为“ 1”时，反射性的操作正在尝试
和指示引导块锁。编程/擦除的尝试
而V
IH
＆ LT ;
RP
＆ LT ; V
HH
产生虚假的结果和
不应该尝试。
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文档。编号MD- 1078 ，修订版
