DC和AC参数
表9 。
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
V
IL
V
IH
V
OL
M41T81
DC特性
参数
测试条件
(1)
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
开关频率= 400千赫
SCL ， SDA = V
CC
– 0.3V
–0.3
0.7V
CC
I
OL
= 3.0毫安
I
OL
= 10毫安
IRQ / OUT / FT / SQW
2.5
(4)
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 0 V
振荡器，V
BAT
= 3 V
3
0.6
民
典型值
最大
±1
±1
400
100
0.3V
CC
V
CC
+ 0.3
0.4
0.4
5.5
3.5
(5)
1
单位
A
A
A
A
V
V
V
V
V
V
A
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
电源电流（待机）
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出低电压（开放
漏）
(2)
上拉电源电压
（漏极开路）
V
BAT(3)
电池电源电压
I
BAT
电池供电电流
1.有效的环境工作温度：T已
A
= -40 85 ℃; V
CC
= 2.0 5.5 V （除非另有说明） 。
2.对于IRQ / FT / OUT / SQW引脚（漏极开路）
3.意法半导体的建议RAYOVAC BR1225和BR1632 （或同等学历）的电池供电。
4.切换后（V
SO
), V
BAT
（分钟）可以是2.0V，为晶体，其中R
S
= 40 kΩ.
5.对于可充电备用，V
BAT
（最大）可被认为V
CC
.
表10 。
符号
f
O
R
S
C
L
水晶电气特性
参数
(1)(2)
谐振频率
串联电阻
负载电容
民
-
-
-
12.5
典型值
32.768
60
最大
单位
千赫
kΩ
pF
1.外部供电。意法半导体的建议KDS DT -38 ： 1TA / 1TC252E127 ，音叉
类型（通孔）或DMX - 26S ： 1TJS125FH2A212 ， （ SMD）石英晶体的工业温度
操作。 KDS可以在kouhou@kdsj.co.jp或联系http://www.kdsj.co.jp的进一步信息
这种晶型。
2.负载电容的M41T81内部集成。电路板布局考虑为32.768千赫
最小的走线长度和隔离射频信号生成结晶，应考虑在内。
图15.掉电/模式AC波形
VCC
VSO
tPD的
SDA
SCL
不关心
AI00596
TREC
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文档编号7529修订版10
