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KAD5514P
抖动
在数据采样系统，时钟抖动直接影响
实现的SNR性能。该理论关系
时钟抖动之间（T
J
）和SNR示于公式1和
示于图32 。
1
-
SNR
=
20日志
10
-------------------
2πF吨
以J
物理上接近到ADC。此设置的适用性
取决于PCB布局，因此，用户必须
实验，以确定是否性能下降是
观察到。
输出模式和LVDS驱动电流是通过选择
该OUTMODE销表2所示。
表2. OUTMODE PIN设置
OUTMODE销
模式
LVCMOS
LVDS ， 3毫安
LVDS ， 2毫安
（当量1）
100
95
90
85
SNR（ dB）的
80
75
70
65
60
55
50
1
10
100
输入频率（MHz）
1000
TJ = 100ps的
TJ = 10马力
10位
TJ = 1PS
12位
TJ = 0.1ps
14位
AVSS
FL燕麦
AVDD
的输出模式也可以通过SPI控制
端口，覆盖OUTMODE引脚设置。在详细
这都包含在了“串行外设接口”
第20页。
外部电阻造成的偏差为LVDS驱动器。一
为10kΩ ，1％电阻器必须从RLVDS引脚连接
OVSS 。
图32. SNR VS时钟抖动
这个关系式表明，将是否达到的信噪比
时钟抖动是唯一的非理想因素。在现实中，
可实现的信噪比是由内部因素，例如不限
线性度，孔径抖动和热噪声。内部孔径
抖动是在所示的采样时刻的不确定性
图1.内部孔径抖动结合与输入
时钟抖动在根求和平方时尚的，因为它们不
统计相关，这就决定了总抖动
该系统。总抖动，结合其他噪声
源，则确定可实现的信噪比。
超量程指示灯
的超范围（OR）位被断言时，输出代码
到达正满量程（如0xFFF的偏移二进制模式） 。
在超量程输出代码不环绕
条件。在或位处采样率被更新。
功耗
由KAD5514P的功耗主要是
依赖于采样速率和输出模式： LVDS
VS CMOS和DDR与SDR 。有一个静态偏压的
模拟电源，而剩余的功耗是
线性相关的采样率。的输出供给
耗散的变化，以LVDS方式在较小的程度，但
更密切相关的在CMOS模式的时钟频率。
参考电压
温度补偿的电压基准提供
在逐次逼近参考使用费
操作。每个A / D转换器的满量程范围成正比
到参考电压。该参考电压是内部
旁路，是不可访问的用户。
打盹/休眠
该装置的部分可以被关闭以节省功率
时间期间时，不需要ADC的操作。两
省电模式可供选择： nap和sleep 。觉
模式了约65 ％，降低了功耗和
恢复到正常操作状态中大约1μs的时间。睡觉
模式可降低功耗到小于18mW功率，但
需要1ms的恢复。
所有数字输出（数据， CLKOUT和OR ）被放置在一个
午睡或休眠期间的高阻抗状态。输入时钟
应保持运行，并在午睡期间的固定频率
或睡眠。如果从打盹模式恢复的时间将增加
时钟被停止时，由于内部的DLL可能需要长达52μs
在250MSPS重新锁定。
默认情况下，之后的设备上电，运行
状态由NAPSLP引脚控制如表3所示。
数字输出
输出的数据可以作为在一个并行总线
兼容LVDS或CMOS模式。此外，数据
可以在任一双倍数据速率（DDR）或单呈现
数据速率（ SDR）的格式。偶数输出位
活跃在DDR模式。当CLKOUT低的MSB和所有
奇数位输出，而在高阶段的LSB和所有
即使是位呈现。图1和图2示出了定时
对于LVDS / CMOS和DDR / SDR模式的关系。
48- QFN封装选项包括六个LVDS数据
输出，因此，只能支持DDR模式。
此外，在驱动电流为LVDS模式下可以设定为一个
标称3毫安或节电2毫安。在较低的电流
设置可用于在设计中，接收器是在接近
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FN6804.1
2009年3月4日
