2SK1334
主要特点
功率与温度降额
1.2
最高安全工作区
5
REA
S A
上）
THI
(
10
在研发
DS
n
s
蒂奥通过
10
ra
0
PE imite
PW
1
0 1
M传
is
=
s
D
10
C
O
m
pe
s
(1
ra
TIO
Sh
n
ot
(T
)
C
=
25
°
C
)
TA = 25
°
C
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
测试条件：当使用氧化铝
陶瓷板
(12.5
×
20
×
0.7 mm)
0.8
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.4
0
50
100
150
1
3
10
30
100
300 1,000
环境温度Ta （C ）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
2.0
10 V
1.6
8V
7V
6V
脉冲测试
2.0
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
1.6
V
DS
= 10 V
脉冲测试
1.2
1.2
0.8
5V
0.4
4V
0
4
8
12
16
20
V
GS
= 3 V
0.8
0.4
75°C
T
C
= 25°C
–25°C
2
4
6
8
10
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
20
脉冲测试
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
50
脉冲测试
20
10
5
2
1
0.5
0.05
V
GS
= 10 V
15 V
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
16
12
I
D
= 2 A
8
4
1A
0.5 A
4
8
12
16
20
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
漏极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6
