麦克雷尔INC 。
2
I
L
_
PP
2
=
D
I
IN
_
AVE
+
12
MIC3230/1/2
从公式26 ：
t
过渡
≈
Qg
68
nC
=
=
34
ns
Igatedrv
2
A
I
FET
_
RMS
I
FET
_
AVE
=最大
=
1.64
A
V
OUT
=最大
=
28
V
在开关过程中出现的开关损耗
FET的转换。在过渡时期，叔
过渡
，是
时代当FET关闭和打开。有
每期两个过渡时期，T是很重要的不要
随着过渡时间混淆T（周期） ，T
过渡
.
式。 （ 24 ）
式。 （ 25 ）
P
FET
_
开关
=最大
=
I
FET
_
AVE
=最大
×
V
OUT
=最大
×
t
过渡
=最大
×
F
SW
从公式25 ：
P
FET
_
开关
=最大
=
1.64
A
×
28
V
×
34
ns
×
500
千赫
=
0.78
瓦
从式（22）
P
FET
=
62
mW
+
0.78
W
=
0.84
W
T
=
1
FSW
这对限制而不在电路板上的一个部分
不必使用任何额外的散热器。
整流器器二极管
这里是最好用的，因为较低的肖特基二极管
正向电压和低反向恢复时间。该
对二极管的电压应力为MAX V
OUT
和
因此有较高的评价比MAX V二极管
OUT
应该被使用。一个80％的降额建议
这里为好。
找到
t
过渡
=最大
:
式。 （ 26 ）
t
过渡
=最大
≈
Qg
Igatedrv
哪里
Qg
是外部的总栅极电荷
由MOSFET的制造商提供的MOSFET和
该
Qg
应选择在一个V
GS
≈10V.
这不是一个
精确值，但更多的是一个估计的
t
过渡
=最大
.
场效应管制造商在提供栅极电荷
特定网络版V
GS
电压：
Q
G
C
In
_
FET
=
@
V
GS
式（ 28 ）
I
L
_
PP
2
I
二极管
_
RMS
=最大
=
(1
D
)
I
IN
_
AVE
_最多2
+
12
式。 （ 29 ）
P
二极管
≈
V
肖特基
×
I
二极管
_
RMS
=最大
P
二极管
≈
0.81
W
这是FET的输入电容。选择一个与FET
R
DS （ ON）
和Q
G
这样，外部功率低于
约0.7W的SO- 8或1W左右的的PowerPAK
（ FET封装） 。在日前，Vishay Siliconix的Si7148DP的
采用PowerPAK SO- 8封装一个不错的选择。该
在MIC3230内部栅极驱动器/ 1/2为2A 。从
Si7148DP数据表：
R
DS(on)_25°C
=0.0145
总栅极电荷= 68nC （典型值）
该
R
DS
(
on
)
(
温度
)
是温度的函数。作为
温度在所述场效应晶体管的增加也是如此第r
DS （ ON）
.
找到
R
DS
(
on
)
(
温度
)
用公式27 ，或者干脆
双倍
R
DS
(
on
)
(25
C
)
为
R
DS
(
on
)
(125
C
)
.
式。 （ 27 ）
R
DS
(
on
)
(
温度
)
=
R
DS
（上）
(25
o
C
)
×
(1.007
(
温度
25 )
)
o
MIC3230功率损耗
功率损耗的MIC3230are ：
Eq.(30)
P
MIC
3230
=
Q
门
×
V
门
×
F
+
I
Q
×
VIN
哪里
Q
门
是外部的总栅极电荷
MOSFET。
V
门
是的栅极驱动电压
MIC3230.
F
为开关频率。
I
Q
为
该MIC3230的静态电流在电气发现
鉴定表。
I
Q
=
3.2
mA
.
V
IN
是在电压
在V
IN
该MIC3230的引脚
.
从方程（ 30）的
P
MIC
3230
=
68
nF
×
12
×
500
千赫
+
3.2
mA
×
14
=
0.45
W
o
o
该
R
DS
(
on
)
(
温度
)
在125℃下是：
R
DSON
(125
o
C
)
=
0.0145
×
(1.007
(125
25
o
)
)
≈
30
m
Ω
从公式23 ：
P
FET
_
COND
=
1.64
2
×
30
m
Ω =
62
mW
2009年1月
16
M9999-011409-A
