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128MB ： X4，X8 ， X16
DDR SDRAM
概述
128MB的DDR SDRAM是高速CMOS ，
动态随机存取存储器包含134217728位。
它在内部配置为四银行DRAM 。
128MB的DDR SDRAM采用的是双倍数据速率
体系结构来实现高速操作。双数据
率的架构本质上是一个2N-预取架构
一个接口用于传输每个时钟两个数据字
周期在I / O引脚。一个单一的读或写访问的
128MB DDR SDRAM有效地由一个单一的2n位的
在内部DRAM芯宽，一个时钟周期的数据传输
和两个对应的
n位
宽，一个半时钟周期的数据
传输的I / O引脚。
的双向数据选通（DQS ）被发送
外，伴随着数据，用于在所述数据采集使用
接收器。 DQS是由DDR SDRAM传输频闪
在读取和写入过程中的内存控制器。
DQS是边沿对齐进行数据读取和居中对齐
与写入数据。在X16提供有两个数据选通信号，
一个用于低位字节和一个用于高字节。
128MB的DDR SDRAM的差分工作
时钟（ CK和CK ＃ ） ; CK的交叉变为高电平，并
CK＃变低将被称为的正边缘
CK 。命令（地址和控制信号）被登记在
CK的每个上升沿。输入数据被登记在两个
DQS的边缘，和输出数据被引用到的两个边缘
DQS ，以及对照的两个边缘。
读取和写入访问到DDR SDRAM是迸发
导向;存取开始在一个选定的位置，并继续进行
在编程位置的设定的号码
序列。访问开始与Active注册
命令，然后接着读或写
命令。地址位注册暗合了
ACTIVE命令用于选择银行和行是
访问。地址位注册暗合了
读或写命令用于选择银行和
起始列位置的突发访问。
在DDR SDRAM提供了可编程只读或
写的2 ，4或8个位置脉冲串长度。自动
预充电功能可被使能，以提供一个自定时排
预充电时的突发访问结束时启动的。
与标准的SDR SDRAM芯片，所述流水线式
DDR SDRAM芯片的多组结构允许
并发操作，从而提供高有效
带宽隐藏行预充电和激活时间。
自动刷新模式设置，以及一个加电
节能省电模式。所有的输入都与兼容
JEDEC标准SSTL_2 。所有的全驱动强度输出
是SSTL_2 ， II级兼容。
注1 ：
该功能并讨论了时序规范
本数据手册是的DLL功能模式
操作。
注2 ：
在整个数据表，各种数字和文字
指的DQ为“ DQ ”的DQ的术语将被解释为
任何和所有的DQ的统称，除非特别说明
否则。
此外，该x16的被分成两个字节 - 的
低字节，高字节。对于低字节（ DQ0
通过DQ7 ） DM是指LDM和DQS是指
LDQS ;和高字节（ DQ8通过DQ15 ）的DM
指的是UDM和DQS是指UDQS 。
___________________________________________________
绝对最大额定值*
V
DD
电源电压
相对于V
SS
.....................................- 1V至+ 3.6V
V
DD
Q供应
电压相对于V
SS
......................... -1V至+ 3.6V
V
REF
与输入电压
相对于V
SS
.....................................- 1V至+ 3.6V
I / O引脚电压
相对于V
SS
..........................- 0.5V至V
DD
Q + 0.5V
工作温度，T
A
（环境） ..... ... 。 25 ° C至+ 70°C
存储温度（塑料） ... ... .......... -55 ° C至+ 150°C
功耗................................................ ..1W
短路输出电流............................. ... ..50mA
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128MB ： X4，X8 ， X16 DDR SDRAM
冯： 2004年11月23日
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