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NT512D64S8HB1G / NT512D64S8HB1GY / NT512D64S8HB0G
NT256D64S88B1G / NT256D64S88B1GY NT256D64S88B0G
NT128D64SH4B1G / NT512D72S8PB0G （ ECC ） / NT256D72S89B0G （ ECC ）
无缓冲DDR DIMM
用于对模块AC时序规范的DDR SDRAM器件
T
A
= 0 ° C 70 ℃; V
DDQ
= V
DD
= 2.5V ± 0.2V （ PC2100 / PC2700 ） ; V
DDQ
= V
DD
= 2.6V ± 0.1V （ PC3200 ） （第2部分2 ）
5T
符号
参数
PC3200
分钟。
地址和控制输入建立时间
t
IS
t
IPW
t
RP RE
t
RP ST
t
RAS
t
RC
t
RFC
t
RCD
t
RAP
t
RP
t
RRD
t
WR
t
DAL
t
WTR
t
PDEX
t
XSNR
t
XSRD
t
REFI
0.7
（慢摆率）
输入脉冲宽度
阅读序言
阅读后同步
至预充电命令
要积极主动/自动刷新命令期
自动刷新主动/自动刷新命令
70
期
ACTIVE读取或写入延迟
激活到读命令与自动预充电
预充电命令期
活跃银行A到活动组B命令
写恢复时间
自动预充电写恢复+预充电时间
内部写读命令延迟
掉电退出时间
退出自刷新非读命令
退出自刷新读取命令
平均周期刷新间隔
15
15
15
10
15
(t
WR
/
t
CK
) +
(t
RP
/
t
CK
)
1
5
75
200
7.8
18
18
18
12
15
(t
WR
/
t
CK
) +
(t
RP
/
t
CK
)
1
6
75
200
7.8
20
20
20
15
15
(t
WR
/
t
CK
) +
(t
RP
/
t
CK
)
1
7.5
75
200
7.8
ns
ns
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
t
CK
s
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4, 13
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4, 8
72
75
2.2
0.9
0.40
42ns
55
1.1
0.60
120us
2.2
0.9
0.40
42ns
60
1.1
0.60
120us
2.2
0.9
0.40
45ns
65
1.1
0.60
120us
ns
ns
ns
t
CK
t
CK
0.8
1.0
ns
马克斯。
分钟。
6K
PC2700
马克斯。
分钟。
75B
PC2100
马克斯。
2-4,
10-12,
14
2-4, 12
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
单位
笔记
REV 2.2
2004年8月3日
21
NANYA保留更改产品规格，恕不另行通知。
南亚科技股份有限公司
初步
