铁氧体片状磁珠
8.可靠性&试验条件：
Z1系列
项
弯曲强度
性能
的铁素体不应该由力而损坏
施加于右侧的状态。
R0.5(0.02)
1.0(0.039)
测试条件
系列名称
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
毫米（英寸）
0.80 (0.033)
1.40 (0.055)
2.00 (0.079)
2.70 (0.106)
P-千克力
0.3
1.0
2.5
2.5
芯片
A
随机振动试验
外观：开裂，航运&其他
缺陷有害的特性应
是不允许的。
阻抗：± 30 ％
砸10次从水泥地上
的75厘米高度。
外观没有损伤。
阻抗：在初始值的±30％ 。
频率： 10-55-10Hz 1分钟。
振幅： 1.52毫米
方向&次：X， Y，Z方向进行2小时。
为期2小时，每3个相互垂直
方向（共6小时） 。
一。无机械损伤
B 。阻抗值变化： ± 30 ％
温度： 125 ±5℃下
外加电流：额定电流
时间： 1008 ± 12小时
测定在室温下放置2 3小时后。
湿度： 90 95 ％RH 。
温度： 40±2 ℃下
时间： 1008 ± 12小时
测定在室温下放置2 3小时后。
降
在高负荷
温度
湿度
热冲击
外观没有损伤。
阻抗：在初始值的±30％ 。
相
1
2
温度（℃）
-55±2°C
+125±5°C
时间（分钟）
30±3
30±3
对于Z系列：
条件1周
步骤1： -55 ℃±2℃ 30±3分钟。
步骤2： + 125 ±5℃ 30±3分钟。
循环次数： 5
测定在室温下放置2 3小时后。
温度：-55 ±2℃
时间： 1008 ± 12小时
测定在室温下放置2 3小时后。
测量： 5次
低温存储测试
降
砸10次从水泥地上
的75厘米高度。
一。无机械损伤
B 。阻抗值变化： ± 30 ％
降额曲线
降低的电流（A ）
降额
6
5
4
3
2
1
0
6A
5A
4A
3A
2A
1.5A
1A
对于铁氧体片式磁珠承受的电流超过1.5A其中，作为
工作温度超过85 ° C时，电流降额信息
有必要考虑。对于电流降额的细节，请
指的是降低的电流与工作温度曲线。
85
125
工作tem温度（ ℃）
工作温度（ X）
C
注：规格如有变更，恕不另行通知。请查看我们的网站了解最新信息。
03.07.2008
SUPERWORLD ELECTRONICS （ S） PTE LTD
PG 。五
