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Si1411DH
新产品
Vishay Siliconix公司
P沟道150 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
150
特点
I
D
(A)
0.52
0.51
r
DS （ ON）
(W)
2.6 @ V
GS
=
10
V
2.7 @ V
GS
=
6
V
Q
g
（典型值）
4.2
4 2 NC
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
小尺寸，热增强型SC- 70封装
D
超低导通电阻
应用
D
在DC有源钳位电路/ DC电源
耗材
产品
全然
无铅
SOT-363
SC - 70 （ 6引线）
D
1
6
5
D
标识代码
YY
D
2
D
BG
XX
G
S
G
3
4
S
很多可追溯性
和日期代码
零件编号代码
D
P沟道MOSFET
顶视图
订购信息： Si1411DH -T1 -E3
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
漏电流脉冲
连续二极管电流（二极管传导）
a
单脉冲雪崩电流
单一时脉Avalanch能源
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0 1毫亨
0.1
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
5秒
稳定状态
150
"20
单位
V
0.52
0.38
0.8
1.3
2.1
0.22
1.56
0.81
55
150
0.42
0.3
A
0.83
mJ
1.0
0.52
W
_C
热电阻额定值
参数
最大
M I
结到环境
a
TI T A双向吨
最大结到脚（漏极）
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 73242
S- 50461 -REV 。 B， 3月14日05
www.vishay.com
t
v
5秒
稳定状态
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
60
100
34
最大
80
125
45
单位
° C / W
C / W
1
