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CY62256VN
电容
[5]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.0V
最大
6
8
单位
pF
pF
热阻
[5]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
图1. AC测试负载和波形
R1
V
CC
产量
50 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
V
CC
10%
GND
＆ LT ; 5纳秒
相当于：
戴维南等效
R
th
产量
V
th
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
＆ LT ; 5纳秒
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
2层印刷电路板
SOIC
68.45
26.94
TSOPI
87.62
23.73
RTSOPI
87.62
23.73
单位
° C / W
° C / W
参数
R1
R2
RTH
VTH
价值
1100
1500
645
1.750
单位
欧
欧
欧
伏
数据保持特性
（在整个工作范围内）
参数
V
DR
I
CCDR
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 1.4V,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V
Com'l
Ind'l /自动-A
自动-E
0
t
RC
图2.数据保存波形
数据保持方式
V
CC
1.8V
t
CDR
CE
笔记
5.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
6.无输入可能超过V
CC
+ 0.3V.
条件
[6]
民
1.4
典型值
[2]
0.1
最大
3
6
50
单位
V
μA
t
CDR[6]
t
R[5]
芯片取消到数据
保留时间
手术恢复时间
ns
ns
V
DR
> 1.4V
1.8V
t
R
文件编号： 001-06512修订版* B
第13 4
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